[發(fā)明專利]晶體管及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710161781.2 | 申請日： | 2007-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN101154662A | 公開（公告）日： | 2008-04-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 南炳虎 | 申請（專利權(quán)）人： | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/04 | 分類號： | H01L27/04;H01L29/423;H01L21/822;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種晶體管，包含：
包含由器件隔離層所界定的有源區(qū)的半導(dǎo)體基板；
在所述半導(dǎo)體基板的有源區(qū)上隔開特定間隔的柵線；及
凹結(jié)構(gòu)的溝槽，在與所述柵線的端部接觸的所述半導(dǎo)體基板的有源區(qū)的端部中被蝕刻至特定深度。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述凹結(jié)構(gòu)的溝槽形成為矩形形狀。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述柵線具有呈T形剖面的端部。
4.如權(quán)利要求1所述的晶體管，還包括：
形成于所述柵線兩側(cè)上的接觸區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中至少一條所述柵線包含在外圍電路區(qū)中NMOS晶體管或PMOS晶體管內(nèi)。
6.一種晶體管，包含：
包含由器件隔離層所界定的有源區(qū)的半導(dǎo)體基板；
在所述半導(dǎo)體基板的有源區(qū)上隔開特定間隔的柵線；及
凸形結(jié)構(gòu)的突出物，在與所述柵線的端部接觸的所述半導(dǎo)體基板的有源區(qū)的端部內(nèi)，從所述半導(dǎo)體基板的表面突出特定高度。
7.如權(quán)利要求6所述的晶體管，其中所述凸形結(jié)構(gòu)的突出物形成為矩形形狀。
8.如權(quán)利要求6所述的晶體管，其中所述柵線具有反U形剖面的端部，所述剖面中的凹陷面對所述半導(dǎo)體基板。
9.如權(quán)利要求6所述的晶體管，還包括：
形成于所述柵線的兩側(cè)上的接觸區(qū)。
10.如權(quán)利要求6所述的晶體管，其中至少一條所述柵線包含于外圍電路區(qū)中的NMOS晶體管或PMOS晶體管內(nèi)。
11.一種晶體管的制造方法，包含：
在包含單元區(qū)與外圍電路區(qū)的半導(dǎo)體基板中形成器件隔離層；
在所述外圍電路區(qū)中的有源區(qū)的端部中形成凹結(jié)構(gòu)的溝槽；及
形成嚙合該凹結(jié)構(gòu)的溝槽的柵線。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成凹結(jié)構(gòu)的溝槽的步驟包括：
形成光敏抗蝕劑膜圖案，以覆蓋所述半導(dǎo)體基板的單元區(qū)，并露出所述外圍電路區(qū)中毗鄰所述器件隔離層的所述有源區(qū)；及
通過所述光敏抗蝕劑膜圖案的掩模蝕刻所述外圍電路區(qū)中的所述露出區(qū)域，以形成所述凹結(jié)構(gòu)的溝槽。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成凹結(jié)構(gòu)的溝槽的步驟包括：
形成光敏抗蝕劑膜圖案，以露出在所述半導(dǎo)體基板的單元區(qū)中用于形成凹陷溝道的區(qū)域，并露出所述外圍電路區(qū)中毗鄰所述器件隔離層的所述有源區(qū)；及
使用所述光敏抗蝕劑膜圖案的掩模執(zhí)行蝕刻工藝，以在所述單元區(qū)中形成凹陷溝道并在所述外圍電路區(qū)中形成所述凹結(jié)構(gòu)的溝槽。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述凹結(jié)構(gòu)的溝槽形成為矩形形狀。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述柵線具有T形剖面的端部。
16.一種晶體管的制造方法，包含：
在包含單元區(qū)與外圍電路區(qū)的半導(dǎo)體基板中形成器件隔離層；
在所述外圍電路區(qū)中的有源區(qū)的端部中形成具有平坦頂面的凸形結(jié)構(gòu)的突出物；及
形成嚙合所述凸形結(jié)構(gòu)的突出物的柵線。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成凸形結(jié)構(gòu)的突出物的步驟包含：
形成光敏抗蝕劑膜圖案，以覆蓋所述半導(dǎo)體基板的單元區(qū)，并覆蓋所述外圍電路區(qū)中毗鄰所述器件隔離層的所述有源區(qū)；及
通過光敏抗蝕劑膜圖案的掩模蝕刻所述外圍電路區(qū)中的露出區(qū)域，以形成凸形結(jié)構(gòu)的突出物。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成凸形結(jié)構(gòu)的突出物的步驟包含：
形成光敏抗蝕劑膜圖案，以覆蓋半導(dǎo)體基板的單元區(qū)中用于形成鰭形突出物的區(qū)域，并覆蓋所述外圍電路區(qū)中毗鄰所述器件隔離層的所述有源區(qū)；及
使用所述光敏抗蝕劑膜圖案的掩模執(zhí)行蝕刻工藝，以在所述單元區(qū)中形成鰭形突出物并在所述外圍電路區(qū)中形成凸形結(jié)構(gòu)的突出物。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述凸形結(jié)構(gòu)的突出物形成為矩形形狀。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述柵線具有反U形剖面的端部。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
