[發明專利]結型場效應管及其制造方法

無效

• 申請號: 200710161270.0
• 申請日: 2007-09-25
• 公開（公告）號: CN101170136A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發明（設計）人: 小林俊介
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社
• 主分類號: H01L29/808
• 分類號: H01L29/808;H01L21/337
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種結型場效應管，其特征在于，具備：

一導電型半導體襯底；

設于該襯底上的一導電型半導體層；

設于該一導電型半導體層的表面，端部與所述一導電型半導體層形成pn結的反向導電型的溝道區域；

在該溝道區域的局部貫通該溝道區域而設置的反向導電型的源極區域及漏極區域；

設于所述溝道區域表面的一導電型的柵極區域。

2.一種結型場效應管，其特征在于，具備：

一導電型半導體襯底；

設于該襯底上的一導電型半導體層；

在該一導電型半導體層的表面島狀設置，端部與所述一導電型半導體層形成pn結的反向導電型的溝道區域；

在該溝道區域的局部貫通該溝道區域而設置的反向導電型的源極區域及漏極區域；

設于所述溝道區域表面的一導電型的柵極區域；

設于該柵極區域上，與該柵極區域接觸的導電層。

3.如權利要求2所述的結型場效應管，其特征在于，所述導電層是含有雜質的半導體層。

4.如權利要求2所述的結型場效應管，其特征在于，所述導電層的上面寬度比所述柵極區域的寬度大。

5.如權利要求1或2所述的結型場效應管，其特征在于，在所述溝道區域下方，所述源極區域及所述漏極區域與所述半導體層形成pn結。

6.一種結型場效應管的制造方法，其特征在于，包括：

在一導電型半導體襯底上設置一導電型半導體層，在該一導電型半導體層的表面離子注入反向導電型雜質，形成端部與所述一導電型半導體層形成pn結的反向導電型的溝道區域的工序；

在所述溝道區域表面形成一導電型柵極區域的工序；

在所述溝道區域的局部形成貫通該溝道區域的反向導電型的源極區域及漏極區域的工序。

7.一種結型場效應管的制造方法，其特征在于，包括：

在一導電型半導體襯底上設置一導電型半導體層，在該一導電型半導體層的表面離子注入反向導電型雜質，島狀地形成端部與所述一導電型半導體層形成pn結的反向導電型的溝道區域的工序；

在所述溝道區域表面離子注入一導電型雜質的工序；

在所述溝道區域的表面形成導電層的工序；

在所述溝道區域表面形成一導電型柵極區域的工序；

在所述溝道區域的局部形成貫通該溝道區域的反向導電型的源極區域及漏極區域的工序。

8.如權利要求7所述的結型場效應管的制造方法，其特征在于，在所述溝道區域表面離子注入反向導電型雜質后，將該反向導電型雜質和所述一導電型雜質同時擴散，同時形成所述源極區域及漏極區域和所述柵極區域。