[發明專利]薄膜晶體管陣列面板及其制造方法

無效

• 申請號: 200710161109.3
• 申請日: 2007-12-18
• 公開（公告）號: CN101325202A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 李制勛;金度賢;鄭敞午
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;H01L29/40;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 戎志敏

1、一種薄膜晶體管陣列面板，包括：

絕緣襯底；

形成在絕緣襯底上的包括氧化物材料的溝道層；

形成在溝道層上的柵極絕緣層；

形成在柵極絕緣層上的柵電極；

形成在柵電極上的層間絕緣層；

形成在層間絕緣層上的數據線，所述數據線包括源電極，其中數據線包括第一導電層和第二導電層；

形成在層間絕緣層上的漏電極，所述漏電極包括第一導電層和第二導電層；

像素電極，包括與漏電極相關聯的第一導電層的一部分；

形成在數據線和漏電極上的鈍化層；以及

形成在鈍化層上的隔離片。

2、根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中

鈍化層在數據線上方延伸，且包括覆蓋漏電極的突出部。

3、根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其中

隔離片具有與鈍化層相同的平面形狀。

4、根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其中

隔離片未覆蓋全部鈍化層。

5、根據權利要求4所述的薄膜晶體管陣列面板，其中

柵極絕緣層具有與溝道層基本上相同的平面形狀。

6、根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括：

存儲電極線，形成在部分襯底上而不在柵極絕緣層上，且與數據線交叉。

7、根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括：

形成在像素電極上的濾色片。

8、根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括：

形成在層間絕緣層和像素電極之間的濾色片。

9、根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括：

形成在襯底和溝道層之間的濾色片。

10、根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中柵極絕緣層具有與溝道層基本上相同的平面形狀。

11、根據權利要求10所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括：

形成在襯底上的存儲電極線。

12、根據權利要求10所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括：

形成在像素電極上的濾色片。

13、根據權利要求10所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括：

形成在層間絕緣層和像素電極之間的濾色片。

14、根據權利要求10所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括：

形成在襯底和溝道層之間的濾色片。

15、一種薄膜晶體管陣列面板，包括：

絕緣襯底；

形成在絕緣襯底上的包括氧化物材料的溝道層；

形成在溝道層上的柵極絕緣層；

形成在柵極絕緣層上的柵極線；

形成在柵極線上的層間絕緣層；

形成在層間絕緣層上的包括源電極的數據線和漏電極；

像素電極，形成在層間絕緣層上，且連接到漏電極；

形成在數據線和漏電極上的鈍化層；和

形成在鈍化層上的隔離片，

其中鈍化層與數據線共同延伸，而且其中鈍化層包括覆蓋漏電極的部分。

16、根據權利要求15所述的薄膜晶體管陣列面板，其中

隔離片具有與鈍化層基本上相同的平面形狀。

17、根據權利要求15所述的薄膜晶體管陣列面板，其中

隔離片未覆蓋全部鈍化層。

18、一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括：

在絕緣襯底上形成包括氧化物的溝道層；

形成覆蓋溝道層的柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成包括柵電極的柵極線；

在柵極線上形成層間絕緣層；

在層間絕緣層中形成暴露部分溝道層和柵極絕緣層的多個接觸孔；

在層間絕緣層上形成包括源電極的數據線、漏電極和連接到漏電極的像素電極；

在數據線、漏電極和像素電極上形成絕緣層；

在絕緣層上形成隔離片；以及

采用隔離片作為蝕刻掩模來蝕刻絕緣層，以形成暴露像素電極的鈍化層。