[發明專利]薄膜晶體管陣列面板及其制造方法

無效

• 申請號: 200710161109.3
• 申請日: 2007-12-18
• 公開（公告）號: CN101325202A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 李制勛;金度賢;鄭敞午
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;H01L29/40;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 戎志敏

技術領域

本發明是關于薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。

背景技術

一般來說，薄膜晶體管用作開關元件，獨立驅動平板顯示器件(例如液晶顯示器件和有機發光顯示器件)中的每個像素。包括薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列面板具有掃描信號線(或柵極線)，用于向薄膜晶體管發送掃描信號，和數據線，用于向薄膜晶體管發送數據信號，以及連接到薄膜晶體管的像素電極。

每個薄膜晶體管包括連接到柵極線的柵電極，連接到數據線的源電極，連接到像素電極和源電極的漏電極，以及形成在源電極和漏電極之間柵電極上的溝道層，并且根據柵極線的掃描信號從數據線向像素電極發送數據信號。

此處，薄膜晶體管的溝道層優選由多晶硅(多晶的硅)，非晶硅，或氧化物半導體制成。

近來，氧化物半導體的研究進展活躍。氧化物半導體可在室溫下沉積，且與多晶硅相比具有很好的均勻性，與非晶硅相比具有較高的電流遷移率。

當采用氧化物半導體形成具有底部柵極結構的薄膜晶體管半導體時，氧化物半導體可能會暴露于大氣中，且蝕刻形成在氧化物半導體上的金屬層時，氧化物半導體的溝道部分可能會被水蒸汽或干法蝕刻氣體損壞，相應地，薄膜晶體管的特性可能會嚴重惡化。此外，為了防止上述干法蝕刻造成的損害，可采用濕法蝕刻方法。然而，當氧化物半導體的蝕刻速度大于上面的金屬層的蝕刻速度時，很難形成薄膜晶體管。

背景部分公開的上述信息僅僅用于加強對本發明的背景的理解，因此可能包括不形成該領域中本領域普通技術人員已經公知的現有技術的信息。

發明內容

根據本發明的示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板包括：絕緣襯底；形成在絕緣襯底上且包括氧化物的溝道層；形成在溝道層上的柵極絕緣層；形成在柵極絕緣層上的柵電極；形成在柵電極上的層間絕緣層；形成在層間絕緣層上且包括源電極的數據線，其中數據線由第一導電層和第二導電層制成；形成在層間絕緣層上且包括第一導電層和第二導電層的漏電極；由漏電極的第一導電層延伸出的像素電極，形成在數據線和漏電極上鈍化層，以及形成在鈍化層上的隔離片。

鈍化層可以沿數據線延伸，且包括覆蓋漏電極的突出部。

隔離片具有與鈍化層相同的平面形狀。

設置在數據線上的隔離片的部分可被部分去除，從而一部分鈍化層可暴露。

柵極絕緣層可以具有與溝道層基本上相同的平面形狀。

柵極線設置在柵極絕緣層上。

可以進一步包括存儲電極線，形成在襯底上而不在柵極絕緣層上，且與數據線交叉。

可以進一步包括形成在像素電極上的濾色片。

可替換的，可以進一步包括形成在層間絕緣層和像素電極之間的濾色片，或者形成在襯底和溝道層之間的濾色片。

柵極絕緣層可以具有與溝道層基本上相同的平面形狀。

柵極線設置在柵極絕緣層上。

可以進一步包括存儲電極線，形成在襯底上，而不在柵極絕緣層上，且與數據線交叉。

可以進一步包括形成在像素電極上的濾色片。

可替換的，可以進一步包括形成在層間絕緣層和像素電極之間的濾色片，或者形成在襯底和溝道層之間的濾色片。

數據線和漏電極和像素電極的第一導電層可由透明導電氧化物制成，包括銦(In)，鋅(Zn)，錫(Sn)，鋁(Al)，鎵(Ga)中的至少一種。

數據線和漏電極的第二導電層包括鋁，鉬，銀，銅，鉻，鎢，鈮，鈦，鉭中的至少一種。

根據本發明的另一示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板包括：絕緣襯底；形成在絕緣襯底上包括氧化物的溝道層；形成在溝道層上的柵極絕緣層；形成在柵極絕緣層上的柵極線；形成在柵極線上的層間絕緣層；形成在層間絕緣層上的包括源電極的數據線和漏電極；形成在層間絕緣層上且連接到漏電極的像素電極；形成在數據線和漏電極上的鈍化層；以及形成在鈍化層上的隔離片。鈍化層沿數據線延伸，且包括覆蓋漏電極的突出部。

隔離片可以具有與鈍化層基本上相同的平面形狀。

設置在數據線上的隔離片可被部分去除，從而一部分鈍化層被暴露。