[發(fā)明專利]具有刷新觸發(fā)器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710154266.1 | 申請(qǐng)日： | 2007-09-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101236783A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 渡邊浩志;田中達(dá)也 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | G11C16/06 | 分類號(hào)： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 刷新 觸發(fā)器 半導(dǎo)體 存儲(chǔ) 器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：
包含多個(gè)存儲(chǔ)單元晶體管的存儲(chǔ)單元陣列；
指定存儲(chǔ)單元的X軸的位置的X譯碼器；
指定與X軸相交叉的Y軸的位置的Y譯碼器；
利用X譯碼器與Y譯碼器、集中地控制存儲(chǔ)單元晶體管的讀出、寫(xiě)入以及擦除的控制器；
在沒(méi)有電源地經(jīng)過(guò)了預(yù)定的有效期后、產(chǎn)生輸出信號(hào)的半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)；以及
接收來(lái)自半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)的輸出信號(hào)，并向控制器提供指令以將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元陣列中的一個(gè)區(qū)域中的信息傳輸?shù)狡淞硪粋€(gè)區(qū)域從而刷新該信息的刷新觸發(fā)器電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，該器件的操作包含以下步驟：
在上電狀態(tài)下，利用控制器初始化半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)來(lái)設(shè)置半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)的有效期；
在所述的初始化之后，將半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)保留在斷電狀態(tài)；
在所述的保留之后的上電狀態(tài)下，讀出半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)的輸出信號(hào)；
通過(guò)檢查在上電狀態(tài)下的輸出信號(hào)與在所述的初始化狀態(tài)下的輸出信號(hào)間的差異，利用刷新觸發(fā)器電路，在差異小于預(yù)定的偏移量時(shí)發(fā)出刷新信號(hào)“0”；或在差異大于預(yù)定的偏移量時(shí)發(fā)出刷新信號(hào)“1”。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)在上電狀態(tài)下刷新信號(hào)為“1”時(shí)，控制器將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)區(qū)域內(nèi)的信息傳輸給其另一個(gè)區(qū)域，以刷新該信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述初始化中設(shè)置的半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)的有效期，短于與半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)相關(guān)的存儲(chǔ)單元晶體管的數(shù)據(jù)保持時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述初始化中所設(shè)置的有效期的之前與之后之間，半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)的輸出信號(hào)變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述信息的刷新中，半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)被重新初始化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)與存儲(chǔ)單元晶體管嵌入到相同的芯片內(nèi)，且每個(gè)都具有浮柵。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述刷新前的信息的容量等于在所述刷新之后的信息的容量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)N被設(shè)為任意自然數(shù)，且存儲(chǔ)的信息的容量設(shè)置為N位時(shí)，N位被分配于存儲(chǔ)單元陣列的非連續(xù)地址中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，包含記錄信息的地址的塊作為整體被傳輸并再次寫(xiě)入另一塊中。
11.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包含：
包含多個(gè)存儲(chǔ)單元晶體管的存儲(chǔ)單元陣列；
指定存儲(chǔ)單元的X軸的位置的X譯碼器；
指定與X軸交叉的Y軸的位置的Y譯碼器；
利用X譯碼器與Y譯碼器、集中地控制存儲(chǔ)單元晶體管的讀出、寫(xiě)入以及擦除的控制器；
在沒(méi)有電源地經(jīng)過(guò)了預(yù)定的有效期后、產(chǎn)生輸出信號(hào)的半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)；
接收來(lái)自半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)的輸出信號(hào)，并向控制器提供指令以將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元陣列中的一個(gè)區(qū)域中的信息傳輸?shù)狡淞硪粋€(gè)區(qū)域從而刷新該信息的刷新觸發(fā)器電路；以及
從刷新觸發(fā)器電路接收刷新信號(hào)，并進(jìn)行存儲(chǔ)單元晶體管的讀出、寫(xiě)入、擦除操作的運(yùn)算放大器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，器件的操作包含以下步驟：
在上電狀態(tài)下，利用運(yùn)算放大器初始化半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)來(lái)設(shè)置半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)的有效期；
在所述的初始化之后，將半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)保留在斷電狀態(tài)；
在所述的保留之后的上電狀態(tài)下，讀出半導(dǎo)體時(shí)間開(kāi)關(guān)的輸出信號(hào)；
通過(guò)檢查在上電狀態(tài)下的輸出信號(hào)與在所述的初始化狀態(tài)下的輸出信號(hào)間的差異，利用刷新觸發(fā)器電路，在差異小于預(yù)定的偏移量時(shí)發(fā)出刷新信號(hào)“0”；或在差異大于預(yù)定的偏移量時(shí)發(fā)出刷新信號(hào)“1”。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)在上電狀態(tài)下刷新信號(hào)為“1”時(shí)，控制器將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)區(qū)域內(nèi)的信息傳輸給其另一個(gè)區(qū)域，以刷新該信息。
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