[發明專利]發光二極管的倒裝封裝制作方法

無效

• 申請號: 200710154119.4
• 申請日: 2007-09-17
• 公開（公告）號: CN101393950A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 許弘宗;龔先進
• 申請（專利權）人: 兆立光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 朦;方 挺

技術領域

本發明涉及一種發光二極管的倒裝封裝制作方法，特別涉及一種具有均勻熒光粉層的發光二極管的倒裝封裝制作方法。

背景技術

發光二極管(Light?emitting?diode，LED)因為利用直接能隙(directbandgap)發光，且可以由半導體工藝生產，所以具有高效率及低成本的優點。隨著藍光二極管的研發成功及功率提升，發光二極管在一般照明(general?lighting)及背光(back?light)應用也逐漸被人們重視。

圖1示出了第20050274959號美國專利公開的一種高功率發光二極管封裝，以封裝高功率發光二極管芯片401。如圖1所示，該高功率發光二極管封裝主要包含硅基座(silicone?submount)402、散熱座409和聚光杯413。硅基座402具有凹槽及位于凹槽中的電極(未標號)，發光二極管芯片401以倒裝方式安裝在硅基座402的凹槽中，且通過焊錫414a及414b電連接至凹槽中的電極。凹槽中的電極由焊接線412a及412b連接至位于散熱座409上的外部電極406a及406b，從而與外部電源連接，以為發光二極管芯片401供電。聚光杯413安裝在散熱座409上，以使發光二極管芯片401所發出的光線可以集中。

然而上述現有的高功率發光二極管封裝有以下缺點：

在此高功率發光二極管封裝中，熒光粉(phosphor)通常以點膠方式注入凹槽中。由于熒光粉在點膠工藝中均勻度不易控制，造成光線的不均勻。

此外，因為該現有的發光二極管封裝采用焊線方式連接發光二極管芯片401的接點，因此工藝較為復雜，且難以達到表面安裝(surfacemount)。

發明內容

因此本發明的目的在于提供一種具有均勻熒光粉層、且易于表面安裝的發光二極管的倒裝封裝制作方法。

為達到上述目的，本發明提供了一種發光二極管的倒裝封裝制作方法，包含下列步驟：提供具有多個凹槽的硅凹槽陣列；在每個凹槽內形成多個導通孔，且在凹槽底部形成對應導通孔的多個底部電極；將發光二極管芯片倒裝安裝在凹槽內，且發光二極管芯片的電極與導通孔電連接；將硅凹槽陣列切割成多個的硅基座，且每個硅基座具有至少一個凹槽；利用保護膠將硅基座的凹槽填平，以提供平整的上表面；并且在保護膠上利用印刷方式形成熒光層。由于熒光層印刷在平整表面上，因此可以提供均勻的光轉換效果。

此外，根據本發明，也可預先制成熒光片，在測試好熒光片色溫參數后，將所需色溫參數的熒光片貼覆在保護膠的平坦的上表面的上，以取代前述的印刷步驟。

與現有技術相比，本發明提供的發光二極管的倒裝封裝制作方法可以使光線更加均勻，而且工藝簡單，并適于表面安裝。

附圖說明

圖1為現有技術的發光二極管封裝側視圖；

圖2為根據本發明一個優選實施例的發光二極管封裝制作方法流程圖；

圖3A至圖3G為與圖2中的步驟相對應的側視圖；

圖4為根據圖2的流程所制成發光二極管封裝的側視圖；

圖5為根據本發明的另一個優選實施例的發光二極管封裝制作方法流程圖；

圖6A和圖6B示出了發光二極管的電極配置；以及

圖7為導通孔的俯視圖(假設對接電極已經去除)。

在附圖中，各標號所代表的部件列表如下：

凹槽陣列????????????300??????????????硅基座?????????????300a

缺口??????????????302???????????底部電極????????????304

導通孔????????????305???????????對接電極????????????305a、305b

發光二極管芯片????310???????????保護膠??????????????320

熒光層????????????322???????????發光二極管芯片??????401

硅基座????????????402???????????絕緣層??????????????403

黏膠??????????????404???????????外部電極????????????406a，406b

散熱座????????????409???????????焊接線??????????????412a，412b

焊錫??????????????414a，414b

聚光杯????????????413

具體實施方式