[發明專利]發光二極管的倒裝封裝制作方法

無效

• 申請號: 200710154119.4
• 申請日: 2007-09-17
• 公開（公告）號: CN101393950A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 許弘宗;龔先進
• 申請（專利權）人: 兆立光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 朦;方 挺

1.一種發光二極管的倒裝封裝制作方法，包含下列步驟：

提供具有多個凹槽的硅凹槽陣列；

在每個所述凹槽內形成多個導通孔，且在每個所述凹槽的底部形成對應所述導通孔的多個底部電極；

將發光二極管芯片倒裝安裝在所述凹槽內，且所述發光二極管芯片的電極與所述導通孔電連接；

將所述硅凹槽陣列切割成多個硅基座，且每個所述硅基座具有至少一個所述凹槽；

利用保護膠將所述硅基座的所述凹槽填平，以提供平整的上表面；并且

利用印刷方式在所述保護膠上形成熒光層。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述導通孔的制作步驟包含：

在所述凹槽的底部利用擊穿或激光蝕刻方式形成多個缺口；以及

使用鈦鋁金合金在所述缺口處形成對應所述缺口的多個底部電極。

3.如權利要求2所述的方法，其中進一步包含：

利用光阻在所述凹槽的正面形成對應所述缺口的圖案；

利用濕蝕刻形成通孔；以及

在所述通孔內形成導通金屬，以制作所述導通孔，其中在所述導通孔的上方具有露出的對接電極。

4.如權利要求3所述的方法，其中當所述發光二極管芯片倒裝安裝在所述凹槽內時，所述發光二極管芯片的電極通過所述對接電極與所述導通孔電連接。

5.如權利要求3所述的方法，其中利用電鍍或沉積的方式在所述通孔內形成所述導通金屬。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述利用印刷方式形成熒光層的步驟在光刻室中進行。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述利用印刷方式形成熒光層的步驟由用刮刀涂布熒光粉溶液完成。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述熒光粉溶液為硅樹脂與YAG黃色熒光粉以100:13的比例調配而成。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述硅凹槽陣列由對硅晶圓進行濕蝕刻而制成，且所述凹槽的深度為100-300毫米，所述凹槽的角度為7.5-70度。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述熒光層的厚度為50-200微米，且與所述發光二極管芯片的距離為100微米。

11.一種發光二極管的倒裝封裝制作方法，包含下列步驟：

提供具有多個凹槽的硅凹槽陣列；

在每個所述凹槽內形成多個導通孔，且在每個所述凹槽的底部形成對應所述導通孔的多個底部電極；

將發光二極管芯片倒裝安裝在所述凹槽內，且所述發光二極管芯片的電極與所述導通孔電連接；

將所述硅凹槽陣列切割成多個硅基座，且每個所述硅基座具有至少一個所述凹槽；

利用保護膠將所述硅基座的所述凹槽填平，以提供平整的上表面；并且

在所述保護膠上放置具有預定色溫參數的熒光片。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述熒光片由壓模方式形成，且在固化后進行色溫參數篩選。

13.如權利要求11所述的方法，其中所述熒光片由YAG黃色熒光粉制成。

14.如權利要求11所述的方法，其中所述保護膠為多層的硅樹脂層，且各層所述硅樹脂層具有不同的折射率以達到折射率匹配效果。

15.一種倒裝封裝的發光二極管裝置，用以倒裝安裝發光二極管芯片，包含：

硅基座，具有一個凹槽；

多個導通孔，在所述凹槽的底面形成，將所述發光二極管芯片以倒裝方式安裝在所述凹槽內，且所述發光二極管芯片的電極與所述導通孔電連接；

在所述凹槽內形成的保護膠，具有平坦的上表面；以及

熒光層，放置在所述保護膠的上方。

16.如權利要求15所述的裝置，其中在每個所述導通孔之下均具有底部電極，且所述底部電極的材質為鈦鋁金合金。

17.如權利要求15所述的裝置，其中所述保護膠為多層的硅樹脂層，且各層所述硅樹脂層具有不同的折射率以達到折射率匹配效果。

18.如權利要求15所述的裝置，其中所述凹槽的深度為100-300毫米，所述凹槽的角度為7.5-70度。