[發明專利]晶片的檢查裝置

無效

• 申請號: 200710151749.6
• 申請日: 2007-09-27
• 公開（公告）號: CN101162700A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 裵基先;金鎬烈;姜緡徹;樸鐘夏
• 申請（專利權）人: DE&T株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

技術領域

本發明涉及晶片的檢查裝置(Wafer?inspecting?equipment)，尤其是可用一個裝置同時進行晶片的稀釋劑附著物檢查、涂布在晶片表面上的光敏電阻的厚度測定、以及包括邊緣曝光在內的晶片的側面檢查的晶片的檢查裝置。

背景技術

通常，光敏電阻的涂布方法是：將晶片固定并安裝在工作臺上后，如圖1所示，向所述晶片W的上表面中心噴射光敏電阻PR，使所述晶片W以預定速度旋轉，從而集中在中心部的光敏電阻PR涂布在晶片的整個面上，這是因為：通過在晶片的整個區域上均勻地涂布光敏電阻，在曝光時，即使在晶片的中央部和周邊部使用同樣的曝光能量，圖案差別也呈一定基準。

并且，如圖2的剖面部分所示，晶片上的光敏電阻PR必須僅涂布在晶片W的上面，但是由于晶片旋轉而產生的離心力，光敏電阻PR如虛線所示，覆蓋晶片W的邊緣(edge)、即晶片的側面和下面的一部分，成為使層疊有多個晶片的殼體內部的側面及下面污染的主要原因。

為此，沿著圖2的垂直方向所表示的線除去光敏電阻，但是，此時使用的是對光敏電阻的溶解能力良好的稀釋劑(thinner)，如圖3a所示，通過配置于晶片W上、下部的稀釋劑噴嘴100強勁噴射稀釋劑，如圖3b所示，從而利用稀釋劑除去旋轉晶片W上的無用光敏電阻PR。

與此同時，如圖4a所示，從稀釋劑噴嘴100噴射的稀釋劑依次撞到涂布于晶片表面上的光敏電阻和腔室120的內壁，然后，再噴向稀釋劑噴嘴100的入口側，但是，此時所述稀釋劑溶解具有粘度性的光敏電阻，如圖4b所示，稀釋劑粘附在稀釋劑噴嘴100的入口側而凝固，從稀釋劑噴嘴100噴射的稀釋劑不具備直線前進性，其一部分撞到附著在入口側的稀釋劑直線前進性，無規則地噴散到晶片的表面，如圖4c所示，在所述晶片W的表面產生稀釋劑的污跡，產生稀釋劑附著物(thinner?attachment)130，這種稀釋劑附著物130在需要高精密度的晶片的??造中會導致嚴重的不良情況，所以需要對稀釋劑附著物進行檢查，但是存在肉眼可以確認和因為過于小而不能以肉眼確認的情況。

并且，有時不但需要對所述的稀釋劑附著物進行檢查，還需要對涂布在晶片的表面上的光敏電阻的厚度的均一性進行檢查，在制造晶片時，還要求對由于晶片的側面脫落而產生的缺陷進行檢查的碎屑(chipping)檢查、即側面檢查。

另外，所述側面檢查還包括對由于邊緣曝光(edge?expose)導致的不良情況進行檢查，關于所述邊緣曝光，參照附圖具體說明如下。

通常，如圖3a所示，即使利用稀釋劑噴嘴100除去覆蓋晶片的側面和下面的無用光敏電阻PR，如圖5a所示，通過曝光(Expose)后實際使用的部分也只是所表示的邊界內的光敏電阻PR，邊界外側的光敏電阻PR用于確保誤差容許范圍，在曝光后還是無用的光敏電阻，必須除去。

該除去方法是，在晶片曝光時，邊界內的光敏電阻PR接收光，形成為凝固的狀態，而邊界外例的光敏電阻PR還處于未凝固的狀態，所以通過另外曝光而凝固后，在顯影時，使邊界內側和外側光敏電阻一起除去。

另一方面，上述一系列檢查、即對由于稀釋劑附著物產生的晶片的污點檢查和對涂布在晶片表面上的光敏電阻的厚度的檢查不能同步進行，需要利用各自不同的檢查裝置檢查和確認所述缺陷，檢查作業繁瑣和不便利不用說，還存在作業速度和效率降低的問題。

另外，由所述稀釋劑附著物導致的晶片的污點檢查僅僅是對可用肉眼確認的進行檢查，對肉眼不可確認的稀釋劑附著物不進行檢查，在檢查所述側面時，也僅僅是在晶片的上、下部設置相機，對晶片的上面、下面的粒子等進行檢查，實質上不能對晶片的邊緣部分進行碎屑檢查、即側面檢查。

發明內容

鑒于上述技術問題，本發明的目的在于提供一種晶片的檢查裝置：其可用一個裝置同時檢查晶片的稀釋劑附著物和涂布在晶片表面上光敏電阻的厚度測定、以及包括邊緣曝光的晶片的側面檢查。

為了實現本發明的目的，本發明提供一種晶片的檢查裝置，其特征在于，在具有上面、下面和側面的裝置本體的內部包括：固定并使晶片旋轉的吸盤；第一裝置，設置在所述吸盤的上部側，對安裝在吸盤上的晶片表面的稀釋劑附著物進行檢測；第二裝置，對安裝在所述吸盤上的晶片的上部側面和下部側面同時檢查，通過組合這些檢查而進行晶片的側面檢查；以及第三裝置，對安裝在所述吸盤上的晶片的光敏電阻的厚度進行測定。

另外，所述裝置本體設置成可沿著基座上的側向軌移動，所述基座的兩側具有側面導向件。