[發(fā)明專利]晶片的檢查裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710151749.6 | 申請日: | 2007-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN101162700A | 公開(公告)日: | 2008-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 裵基先;金鎬烈;姜緡徹;樸鐘夏 | 申請(專利權(quán))人: | DE&T株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人: | 章社杲;吳貴明 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 檢查 裝置 | ||
1.一種晶片的檢查裝置,其特征在于,在具有上面、下面和側(cè)面的裝置本體(1)的內(nèi)部包括:
固定并使晶片(W)旋轉(zhuǎn)的吸盤(2);
第一裝置(3),設(shè)置在所述吸盤(2)的上部側(cè),對安裝在吸盤(2)上的晶片(W)的表面稀釋劑附著物進行檢測;
第二裝置(4),對安裝在所述吸盤(2)上的晶片(W)的上部側(cè)面和下部側(cè)面同時檢查,通過這些檢查的組合而進行晶片(W)的側(cè)面檢查;以及
第三裝置(5),對安裝在所述吸盤(2)上的晶片(W)的光敏電阻的厚度進行測定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置,其特征在于,所述裝置本體(1)設(shè)置成可沿著基座(6)上的側(cè)向軌(R1)移動,
所述基座(6)的兩側(cè)具有側(cè)面導向件(6a)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置,其特征在于,所述第一裝置(3)包括設(shè)置在下部垂直方向上的稀釋劑附著物檢測用相機(31),所述稀釋劑附著物檢測用相機(31)可利用具有側(cè)向軌(R1)的支架(32)沿著裝置本體(1)的側(cè)面部移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片的檢查裝置,其特征在于,所述稀釋劑附著物檢測用相機(31)在支撐體(33a)的下面一體形成有包括多個燈(33b)的照明部(33),相機的鏡筒部貫穿所述支撐體(33a)的中央。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置,其特征在于,所述第二裝置(4)包括分別設(shè)置在晶片的一側(cè)的上部和另一側(cè)的下部、沿著側(cè)向軌(R1)移動的第一碎屑檢查部(41)和第二碎屑檢查部(42);
所述第一碎屑檢查部(41)和所述第二碎屑檢查部(42)
包括:分別設(shè)置在晶片的一側(cè)的上部和另一側(cè)的下部、具有45度反射角的第一反射棱鏡(41a)和第二反射棱鏡(42a);
以及第一碎屑檢查用相機(41b)和第二碎屑檢查用相機(42b),通過照明燈對從所述第一反射棱鏡(41a)和第二反射棱鏡(42a)入射的晶片的圖像進行拍攝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置,其特征在于,所述第二裝置(4)包括:
上部反射棱鏡(43),設(shè)置在晶片(W)的一側(cè)上部,具有45度反射角;
下部反射棱鏡(44),與所述上部反射棱鏡(43)對置地設(shè)置在晶片(W)的下部,包括延伸部(44a),所述延伸部(44a)用于入射被上部反射棱鏡(43)反射的圖像;
碎屑檢查用相機(45),用于拍攝從所述下部反射棱鏡(44)入射的圖像;
所述上部反射棱鏡(43)、下部反射棱鏡(44)和碎屑檢查用相機(45)構(gòu)成為沿著側(cè)向軌(R1)同時移動。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置,其特征在于,所述第三裝置(5)通過可沿著移送軌(R2)在晶片的半徑方向上移動的頭部件(51)向晶片的表面照射發(fā)光部(52)的光,被反射的光通過頭部件(51)由受光部(53)接收,所述被接收的光通過分光傳感器(54)分離成各個波段,利用所述被分離的各個波段的信號強度對涂布在晶片表面上的光敏電阻的厚度進行測定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





