[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200710151633.2
• 申請日: 2007-09-21
• 公開（公告）號: CN101150071A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: 樸真河
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種方法，包括：

在半導體襯底的上方形成晶體管，所述晶體管包括：柵極，源極/漏極區以及在柵極的側壁上具有層疊結構的間隔子，所述間隔子包括第一氧化物膜，氮化物膜以及第二氧化物膜；

在所述柵極以及所述源極/漏極區的上方形成硅化物；

去除所述間隔子的所述第二氧化物膜；以及

在包括所述柵極的所述襯底的整個表面上方形成接觸停止層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成晶體管的步驟包括以下步驟中的至少一項：

在所述半導體襯底的上方形成柵絕緣膜；

在所述柵絕緣膜的上方形成所述柵極；

在所述柵極的所述側壁的有源區的所述表面上方形成輕摻雜漏極區；

形成所述間隔子；以及

在包括所述間隔子的所述柵極的所述側壁、在所述襯底的表面上方形成所述源極/漏極區。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成間隔子的步驟包括以下步驟中的至少一項：

在包括所述柵極的所述襯底的整個表面上方、在所述襯底的較低側上方順續層疊包括：所述第一氧化物膜，所述氮化物膜以及所述第二氧化物膜的氧化物-氮化物-氧化物結構；以及

執行反應離子蝕刻工藝以使所述氧化物-氮化物-氧化物結構留在所述柵極的所述側壁上。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一氧化物膜的厚度在大約150至200埃的范圍內，所述氮化物膜的厚度在大約150至200埃的范圍內，以及所述第二氧化物膜的厚度在大約300至500埃的范圍內。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化物膜是應用濕刻工藝去除的。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述濕刻工藝應用NH₄F和HF的混合溶液以及HF緩沖液中的任意一種執行30至60秒。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述NH₄F和HF的混合溶液的混合比例為30∶6。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述接觸停止層是應用等離子體增強化學氣相沉積法形成的。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積法可在偏置功率范圍為大約10至20W，SiH₄與NH₃的比例范圍在3∶1至5∶1之間的條件下，溫度范圍在大約300至500℃之間執行30至60秒。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，當偏置功率范圍為大約10至12W，SiH₄與NH₃的比例為5∶1的條件在所述半導體襯底的上方形成NMOS晶體管時，所述接觸停止層具有張應力特性。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，當偏置功率范圍為大約18至20W，SiH₄與NH₃的比例為3∶1的條件下，在所述半導體襯底的上方形成PMOS晶體管時，所述接觸停止層具有壓縮應力特性。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述接觸停止層的厚度范圍為大約300至500埃之間。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述接觸停止層包括氮化物膜。

14.一種裝置，包括：

半導體襯底；

晶體管，形成于所述半導體襯底的上方，所述晶體管包括：柵極，源極/漏極區以及在所述柵極的側壁上具有層疊結構的間隔子，所述間隔子包括至少一第一氧化物膜以及氮化物膜；

硅化物形成于所述柵極和所述源極/漏極區的上方；以及

接觸停止層形成于包括所述柵極的所述襯底的整個表面上方。

15.根據權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述源極/漏極區形成于在所述柵極兩側的所述襯底的表面上方。

16.根據權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述硅化物層包括硅化鈷。