[發明專利]利用低介電層填充金屬線間空隙的半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200710149630.5
• 申請日: 2007-09-10
• 公開（公告）號: CN101330043A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 金贊培;李鐘旼;丁彩吾;安賢珠;李孝碩;閔盛奎
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3105
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體器件的制造方法，包括步驟：

在其上形成有導線的半導體基板上形成低介電常數層；

對所述低介電常數層進行初級紫外處理；

在進行了所述初級紫外處理的所述低介電常數層上形成蓋層；和

對包括所述蓋層的所述低介電常數層進行次級紫外處理；

其中所述次級紫外處理中使用的紫外線的波長比在所述初級紫外處理 工藝中使用的紫外線的波長短。

2.如權利要求1的方法，其中所述導線為柵極線、位線和金屬線中的任 意一種。

3.如權利要求1的方法，其中，在形成所述低介電常數層的步驟之前， 所述方法還包括步驟：

在其上形成有導線的所述半導體基板上形成線性氧化物層。

4.如權利要求1的方法，其中，在進行形成所述低介電常數層的步驟之 后，所述方法還包括步驟：

烘烤所述低介電常數層。

5.如權利要求4的方法，其中所述烘烤步驟是在300～350℃的溫度下進 行。

6.如權利要求4的方法，其中所述烘烤步驟進行5～60秒。

7.如權利要求1的方法，其中所述初級紫外處理是使用具有300～500nm 波長的紫外線進行。

8.如權利要求7的方法，其中所述初級紫外處理進行3～5分鐘。

9.如權利要求1的方法，其中所述蓋層由氧化物層制成。

10.如權利要求9的方法，其中所述氧化物層是通過等離子體增強化學 氣相沉積在350～450℃的溫度下形成。

11.如權利要求1的方法，其中所述次級紫外處理是使用具有 170～300nm波長的紫外線進行。

12.一種半導體器件的制造方法，包括步驟：

形成低介電常數層以填充形成在半導體基板上的導線之間的空隙；

進行初級除氣工藝以去除包含在所述低介電常數層中的放氣源；

進行次級除氣工藝以去除在所述初級除氣工藝之后殘留的放氣源，其中 所述次級除氣工藝通過對所述低介電常數層的初級紫外處理進行；

在進行了所述初級和次級除氣工藝的所述低介電常數層上形成蓋層；和

增強所述低介電常數層和蓋層之間的結合，其中增強所述低介電常數層 和蓋層之間的結合的步驟是通過次級紫外處理進行；

其中所述次級紫外處理中使用的紫外線的波長比在所述初級紫外處理 工藝中使用的紫外線的波長短。

13.如權利要求12的方法，其中所述導線為柵極線、位線和金屬線中的 任意一種。

14.如權利要求12的方法，其中進行所述初級除氣工藝的步驟包括在 300～350℃的溫度下烘烤所述低介電常數層。

15.如權利要求14的方法，其中所述烘烤進行5～60秒。

16.如權利要求12的方法，其中進行所述次級除氣工藝以去除-CH基 放氣源和孔原物。

17.如權利要求12的方法，其中所述初級紫外處理是使用具有 300～500nm波長的紫外線進行。

18.如權利要求12的方法，其中所述初級紫外處理進行3～5分鐘。

19.如權利要求12的方法，其中所述蓋層由氧化物層制成。

20.如權利要求19的方法，其中所述氧化物層是通過等離子體增強化學 氣相沉積在350～450℃的溫度下形成。

21.如權利要求12的方法，其中，通過進行所述次級紫外處理，所述低 介電常數層和蓋層之間的界面中的雜質被去除，使得所述低介電常數層的- Si基和-O基與所述蓋層的-Si基和-O基的相互結合得到提高。

22.如權利要求12的方法，其中所述次級紫外處理是使用具有 170～300nm波長的紫外線進行。