[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 200710149602.3 | 申請日: | 2007-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN101140858A | 公開(公告)日: | 2008-03-12 |
| 發明(設計)人: | 基村雅洋 | 申請(專利權)人: | 大日本網目版制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/306;H01L21/67 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及對基板實施處理的基板處理裝置。
背景技術
此前,在半導體元件、液晶顯示器等制造工序中,在基板處理裝置中對在基板上形成的氧化膜等進行蝕刻時、在洗滌基板表面時以及在去除基板上的聚合物殘渣時等,采用各種藥液。
在上述基板處理裝置中,通過向旋轉卡盤上保持的基板表面供給藥液,對基板進行上述處理。
另外,采用這種基板處理裝置時,設置處理杯,使其包圍住旋轉卡盤上保持的基板。把從通過旋轉卡盤旋轉的基板上振落下來的藥液,用上述處理杯捕集,通過配管送至氣液分離裝置(例如,參見日本特開平09-064009號公報)。
在氣液分離裝置中,使用過的藥液被分離成氣體成分與液體成分。而且,通過氣液分離裝置分離出的氣體成分被排至外部,液體成分被廢棄。
用于對基板進行上述處理的藥液一般是昂貴的。因此,當藥液的用量增加時,處理成本(運行成本)顯著增加。另一方面,使用過的藥液由于濃度、成分等發生變化,難以再利用。
發明內容
本發明的目的是提供一種可降低處理成本的基板處理裝置。
(1)本發明的一種方式的基板處理裝置,其對基板實施處理,其中具有:供給部,該供給部向基板供給含有氟類有機溶劑及酸性液體的處理液;回收部,該回收部回收從供給部供給給基板的處理液;離子去除部,該離子去除部通過去除回收部回收到的處理液中的酸性液體的陰離子,得到陰離子被去除的去除后處理液;混合部,該混合部通過在離子去除部得到的去除后處理液中混合酸性液體,使處理液再生;第1循環系統,該第1循環系統將混合部再生的處理液返回至供給部。
在該基板處理裝置中,通過供給部向基板供給含有氟類有機溶劑及酸性液體的處理液。供給給基板的處理液通過回收部進行回收。另外,回收的處理液中的酸性液體的陰離子,通過離子去除部去除,由此,能夠得到陰離子被去除的去除后處理液。而且,通過混合部向得到的去除后處理液中混合酸性液體,可使處理液再生。再生過的處理液通過第1循環系統返回至供給部。
采用上述構成,通過去除處理液中的酸性液體的陰離子,可從處理液除去酸性液體,可得到含有氟類有機溶劑的去除后處理液。另外,通過向去除后處理液中混合酸性液體,可再生具有所希望的濃度及成分的處理液。因此,可以再利用昂貴的氟類有機溶劑。由此,可降低處理成本。
(2)氟類有機溶劑,也可以含有氫氟醚類、氫氟烴類及全氟鹵代烷基醚類中的1種以上。
此時,通過在處理液中含有酸性液體及上述各種氟類有機溶劑,可以提高該酸性液體的基板處理精度。
(3)離子去除部也可以含有氧化鋁構成的過濾器。此時,陰離子通過氧化鋁被吸附,而從處理液中除去陰離子。由此,可有效地去除處理液中的酸性液體。
(4)基板處理裝置,液可以再具有雜質去除部,用以去除回收部回收的處理液中含有的雜質。
此時,回收部回收得到的處理液中含有的雜質可通過雜質去除部去除,由此,可提高去除后處理液中含有的氟類有機溶劑的純度。
(5)基板處理裝置,也可以再具有貯藏部,貯藏由離子去除部得到的去除后處理液。
此時,為了進行基板處理,在必要的時候,可從貯藏部供給必要的量的去除后處理液。由此,可以謀求處理的迅速化。
(6)基板處理裝置,也可以再具有濃度檢測器,用以檢測貯藏部中貯藏的去除后處理液中的至少1種成分的濃度,混合部也可根據濃度檢測器的檢測結果,向去除后處理液中混合酸性液體。
此時,通過濃度檢測器檢出貯藏部中貯藏的去除后處理液中的至少1種成分的濃度。而且,根據濃度檢測器的檢測結果,通過混合部向去除后處理液中混合酸性液體。因此,通過檢測去除后處理液中的至少1種成分的濃度,可以調節混合部中混合的酸性液體的量。由此,可向基板供給對應于處理的種類的新的處理液。
(7)基板處理裝置,也可再具有第2循環系統,其根據濃度檢測器的檢測結果,使貯藏部貯藏的去除后處理液返回至離子去除部的上游。
此時,根據濃度檢測器的檢測結果,通過第2循環系統,使貯藏部貯藏的去除后處理液,返回至離子去除部的上游。采用這種構成,即使未被除去的陰離子殘留在去除后處理液中時,該去除后處理液再次返回至離子去除部,在該離子去除部中去除陰離子。由此,可以確實去除除去后處理液中的酸性液體,因而,去除后處理液中含有的氟類有機溶劑的純度可達到十分高。
(8)酸性液體,也可含有氫氟酸、鹽酸、硫酸及磷酸中的1種以上。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





