[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 200710149602.3 | 申請日: | 2007-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN101140858A | 公開(公告)日: | 2008-03-12 |
| 發明(設計)人: | 基村雅洋 | 申請(專利權)人: | 大日本網目版制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其對基板實施處理,其中具有:供給部,該供給部向基板供給含有氟類有機溶劑及酸性液體的處理液;回收部,該回收部回收從上述供給部供給給基板的處理液;離子去除部,該離子去除部通過去除上述回收部回收的處理液中的酸性液體的陰離子,得到上述陰離子被去除的去除后處理液;混合部,該混合部通過在上述離子去除部得到的去除后處理液中混合酸性液體,使處理液再生;第1循環系統,該第1循環系統將通過上述混合部再生的處理液返回至上述供給部。
2.按照權利要求1所述的基板處理裝置,其中,上述氟類有機溶劑含有氫氟醚類、氫氟烴類及全氟鹵代烷基醚類中的1種以上。
3.按照權利要求1所述的基板處理裝置,其中,上述離子去除部含有由氧化鋁構成的過濾器。
4.按照權利要求1所述的基板處理裝置,其中,還具有雜質去除部,該雜質去除部用以去除上述回收部回收的處理液中含有的雜質。
5.按照權利要求1所述的基板處理裝置,其中,還具有貯藏部,該貯藏部貯藏由上述離子去除部得到的去除后處理液。
6.按照權利要求5所述的基板處理裝置,其中,還具有濃度檢測器,該濃度檢測器用以檢測上述貯藏部中貯藏的去除后處理液中的至少1種成分的濃度;上述混合部根據濃度檢測器的檢測結果,向去除后處理液中混合酸性液體。
7.按照權利要求6所述的基板處理裝置,其中,還具有第2循環系統,該第2循環系統根據上述濃度檢測器的檢測結果,將上述貯藏部貯藏的去除后處理液返回至上述離子去除部的上游。
8.按照權利要求1所述的基板處理裝置,其中,上述酸性液體,含有氫氟酸、鹽酸、硫酸及磷酸中的1種以上。
9.按照權利要求1所述的基板處理裝置,其中,從上述供給部向基板供給的處理液,還含有親水性有機溶劑;上述離子去除部還去除通過上述回收部回收的處理液中的親水性有機溶劑;上述混合部還向上述離子去除部得到的去除后處理液中混合親水性有機溶劑。
10.按照權利要求9所述的基板處理裝置,其中,上述親水性有機溶劑,含有醇類及酮類中的1種以上。
11.按照權利要求1所述的基板處理裝置,其中,上述供給部,向基板供給處理液后,把在上述混合部未混合酸性液體的去除后處理液供給至基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于大日本網目版制造株式會社,未經大日本網目版制造株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710149602.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





