[發明專利]快閃存儲器無效
| 申請號: | 200710148801.2 | 申請日: | 2007-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN101383350A | 公開(公告)日: | 2009-03-11 |
| 發明(設計)人: | 黃信斌;蕭清南;黃仲麟 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/115 | 分類號: | H01L27/115 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 閃存 | ||
1.一種快閃存儲器,包含:
基底;
包含多個儲存晶體管的存儲器單元串,設于該基底上,其中該等儲存晶體管分別具有第一柵極長度;
包含第二柵極長度的第一選擇柵極晶體管,串接于該存儲器單元串;以及
包含第三柵極長度的第二選擇柵極晶體管,串接于該第一選擇柵極晶體管,其中該第一選擇柵極晶體管及該第二選擇柵極晶體管之一包含有凹入式柵極溝道。
2.如權利要求1所述的快閃存儲器,其中該存儲器單元串包含多個雙位儲存晶體管。
3.如權利要求1所述的快閃存儲器,其中該第一柵極長度、第二柵極長度以及第三柵極長度相等。
4.一種快閃存儲器,包含:
基底;
第一有源區域,位于該基底內,其中該第一有源區域上設有串接在同一行上的第一存儲器單元串包含多個第一儲存晶體管、第一選擇柵極晶體管包含第一柵極長度以及第二選擇柵極晶體管包含第二柵極長度,其中,該第一選擇柵極晶體管包含第一水平式柵極溝道,該第二選擇柵極晶體管包含第一凹入式柵極溝道,其中,該等儲存晶體管分別具有第三柵極長度;以及
第二有源區域,位于該基底內,其中該第二有源區域上設有串接在同一行上的第二存儲器單元串包含多個第二儲存晶體管、第三選擇柵極晶體管包含第四柵極長度以及第四選擇柵極晶體管包含第五柵極長度,其中,該第三選擇柵極晶體管包含第二凹入式柵極溝道,該第四選擇柵極晶體管包含第二水平式柵極溝道,其中,該等儲存晶體管分別具有第六柵極長度,
其中,該第一選擇柵極晶體管和該第三選擇柵極晶體管排列在同一列上,而該第二選擇柵極晶體管和該第四選擇柵極晶體管排列在同一列上。
5.如權利要求4所述的快閃存儲器,其中該第一選擇柵極晶體管緊鄰該第三選擇柵極晶體管。
6.如權利要求4所述的快閃存儲器,其中該第二選擇柵極晶體管緊鄰該第四選擇柵極晶體管。
7.如權利要求4所述的快閃存儲器,其中該第一存儲器單元串包含多個第一雙位儲存晶體管單元。
8.如權利要求4所述的快閃存儲器,其中該第二存儲器單元串包含多個第二雙位儲存晶體管單元。
9.如權利要求4所述的快閃存儲器,其中該第四柵極長度、第五柵極長度以及第六柵極長度相等。
10.如權利要求4所述的快閃存儲器,其中該第一柵極長度、第二柵極長度以及第三柵極長度相等。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





