[發明專利]音叉晶振板及其制造方法有效
| 申請號: | 200710147128.0 | 申請日: | 2007-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN101136619A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發明(設計)人: | 木崎茂 | 申請(專利權)人: | 京瓷金石株式會社;京瓷金石赫茲株式會社 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H03H9/21;H03H3/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 音叉 晶振板 及其 制造 方法 | ||
1.一種音叉晶振板(1、21、31、41),其特征在于,包括:
音叉晶振片(1a、31a),其包括從頂部看基本上成矩形的基座(2),以及從所述基座一側沿相同方向延伸并具有從頂部看基本上成矩形的至少兩個振蕩臂(3a、3b、23a、23b、33a、33b、43a、43b),所述至少兩個振蕩臂包括第一和第二振蕩臂;
第一和第二溝槽(4a、4b),其形成在所述第一振蕩臂的一個主表面和所述第二振蕩臂的一個主表面上,其中兩個主表面在相同側,所述第一溝槽和第二溝槽從具有所述第一和第二振蕩臂的所述基座的邊界線朝著所述第一振蕩臂和所述第二振蕩臂的末梢端延伸,所述第一溝槽和第二溝槽具有落入所述第一振蕩臂和所述第二振蕩臂的長度的50%(包括)至70%(不包括)范圍內的長度,并且所述第一溝槽和所述第二溝槽具有落入所述音叉晶振片的厚度的50%至90%范圍內的深度;
第一和第二溝槽電極(6a、6b),其分別形成在所述第一和第二溝槽的內表面上;
第一側表面電極(8a、8b),其分別形成在所述第一振蕩臂的兩個側表面上;以及
第二側表面電極(9a、9b),其分別形成在所述第二振蕩臂的兩個側表面上,
其中,所述第一溝槽電極與所述第二側表面電極相連以構成一個終端,且
所述第二溝槽電極與所述第一側表面電極相連以構成另一個終端。
2.根據權利要求1所述的板,還包括:
第一扁平電極(7a),其形成在與所述第一溝槽電極相對的所述第一振蕩臂的另一個主表面上,并與所述第二側表面電極及所述第一溝槽電極一起連接;以及
第二扁平電極(7b),其形成在與所述第二溝槽電極相對的所述第二振蕩臂的另一個主表面上,并與所述第一側表面電極及所述第二溝槽電極一起連接。
3.根據權利要求1所述的板,還包括:
第一末梢端電極(10a),其形成在所述第一振蕩臂的另一個主表面的末梢端的表面上,并與所述第二溝槽電極及所述第一側表面電極一起連接;以及
第二末梢端電極(10b),其形成在所述第二振蕩臂的另一個主表面的末梢端的表面上,并與所述第一溝槽電極及所述第二側表面電極一起連接,
其中,所述第一末梢端電極和所述第二末梢端電極調整所述音叉晶振板的共振頻率。
4.根據權利要求1所述的板,其中,所述第一溝槽和所述第二溝槽中的每個包括至少兩個互相平行形成的溝槽(4a1、4a2;4b1、4b2)。
5.根據權利要求1所述的板,其中,所述第一溝槽和所述第二溝槽中的每個在垂直于其縱向的方向上具有大致的梯形截面或大致的V形截面。
6.根據權利要求1所述的板,其中,所述第一振蕩臂和所述第二振蕩臂在向所述兩個終端施加交流電壓時彎曲。
7.根據權利要求6所述的板,其中,所述音叉晶振板具有32kHz到200kHz的共振頻率。
8.一種制造音叉晶振板的方法,其特征在于,包括如下步驟:
分別在晶體襯底(61)的前主表面和后主表面上形成耐蝕膜(62);
在相反位置處的晶體襯底的兩個主表面上的相應耐蝕膜上形成第一抗蝕劑膜(63),每個第一抗蝕劑膜(63)具有與多個音叉晶振片對應的形狀,每個音叉晶振片具有通過將第一矩形部分與第二和第三矩形部分結合在一起得到的形狀,所述第二和第三矩形部分沿同一方向從第一矩形部分的一側延伸,只是形成在晶體襯底的一個主表面上的第一抗蝕劑膜包括抗蝕劑開口(63’),所述抗蝕劑開口從第一矩形部分與第二矩形部分和第三矩形部分的邊界線朝著第二矩形部分的末梢端和第三矩形部分的末梢端延伸,且所述抗蝕劑開口包括落入第二矩形部分和第三矩形部分中的每個的長度的50%(包括)至70%(不包括)范圍內;
通過刻蝕,去除第一抗蝕劑膜不存在、而耐蝕膜表面被曝光的部分;
去除第一抗蝕劑膜;
在保留在晶體襯底的一個主表面上的耐蝕膜上、并且在保留在晶體襯底的另一個主表面上的耐蝕膜中與至少保留在晶體襯底的一個主表面上的耐蝕膜相對的區域上形成第二抗蝕劑膜;
刻蝕晶體襯底的曝光過的部分,在所述的晶體襯底的曝光過的部分上形成第二抗蝕劑膜,并且所述的晶體襯底的曝光過的部分沒有被耐蝕膜覆蓋,以從前側到后側形成多個音叉晶振片(1a),每個音叉晶振片包括僅在一個主表面上的溝槽(4a、4b),所述溝槽具有落入音叉晶振片的厚度的50%至90%(都包括)范圍內的深度;
通過刻蝕去除其上未形成第二抗蝕劑膜、而耐蝕膜表面被曝光的部分;
在音叉晶振片的表面上形成金屬膜(65);
將形成在第二抗蝕劑膜上的金屬膜的一部分與第二抗蝕劑膜一起去除,以形成由金屬膜的保留部分形成的電極(6a、6b、8a、8b、9a、9b、11a、11b、12a、12b);以及
從在其上形成電極的音叉晶振片去除耐蝕膜。
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