[發(fā)明專利]具有抗粘著材料的微器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710146906.4
• 申請(qǐng)日: 2007-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101174024A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘小河
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 視頻有限公司
• 主分類號(hào): G02B26/08
• 分類號(hào): G02B26/08;B81C1/00
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王以平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微結(jié)構(gòu)和微器件的制造。

背景技術(shù)

微器件通常包括在操作期間可以互相接觸的部件。例如，安裝在襯底上的微型反射鏡可以包括可以由靜電力傾斜的可傾斜反射鏡板。該反射鏡板可以傾斜到“開(kāi)”位置，此時(shí)微型反射鏡板把入射光引導(dǎo)到顯示裝置，并且可以傾斜到“關(guān)”位置，此時(shí)微型反射鏡板引導(dǎo)入射光離開(kāi)顯示裝置。反射鏡板可以由機(jī)械停止機(jī)構(gòu)停止在“開(kāi)”或“關(guān)”位置，以使反射鏡板的方向可被精確地限定在這兩個(gè)位置。為了使微型反射鏡正確地工作，反射鏡板必須能夠在“開(kāi)”和“關(guān)”位置之間快速改變而沒(méi)有任何延遲。例如，當(dāng)合適的靜電力被施加到反射鏡板而使其朝向“關(guān)”位置傾斜時(shí)，在“開(kāi)”位置上與機(jī)械停止機(jī)構(gòu)接觸的反射鏡板必須能夠立即與機(jī)械停止機(jī)構(gòu)分離。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)總的方面中，本發(fā)明涉及用于制造微結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括：在襯底上形成第一結(jié)構(gòu)部分；在第一結(jié)構(gòu)部分上配置犧牲材料；在犧牲材料和襯底上淀積第一結(jié)構(gòu)金屬層；除去犧牲材料的至少一部分，以在第一結(jié)構(gòu)材料中形成第二結(jié)構(gòu)部分，其中第二結(jié)構(gòu)部分和襯底相連接，并可在第一位置和第二位置之間運(yùn)動(dòng)，在第一位置上，第二結(jié)構(gòu)部分和第一結(jié)構(gòu)部分分離，而在第二位置上，第二結(jié)構(gòu)部分和第一結(jié)構(gòu)部分接觸；以及在第二結(jié)構(gòu)部分的表面和第一結(jié)構(gòu)部分的表面中的至少一個(gè)上形成碳層，用于阻止在第二結(jié)構(gòu)部分和第一結(jié)構(gòu)部分之間的粘著。

在另一個(gè)總的方面中，本發(fā)明涉及用于制造可傾斜微型反射鏡板的方法。該方法包括：在襯底上形成支柱；在襯底上形成凸起；在襯底上配置犧牲材料；在犧牲材料上淀積一層或多層結(jié)構(gòu)材料層；除去犧牲材料的至少一部分，以形成和所述支柱相連接的可傾斜微型反射鏡板，其中可傾斜微型反射鏡板可以在第一位置和第二位置之間運(yùn)動(dòng)，在第一位置上，可傾斜微型反射鏡板與第一結(jié)構(gòu)部分分離，在第二位置上，可傾斜微型反射鏡板與襯底上的凸起接觸；以及在微型反射鏡板的表面和襯底上的凸起的表面中的至少一個(gè)上形成碳層，用于阻止在微型反射鏡板和襯底上的凸起之間的粘著。

在另一個(gè)總的方面中，本發(fā)明涉及一種微結(jié)構(gòu)，其包括：在襯底上的著陸止動(dòng)件；在襯底上的支柱；和支柱連接的反射鏡板，其中反射鏡板可以在第一位置和第二位置之間運(yùn)動(dòng)，在第一位置上，反射鏡板與著陸止動(dòng)件分離，在第二位置上，反射鏡板與著陸止動(dòng)件接觸；以及在反射鏡板的表面上或者在著陸止動(dòng)件的表面上的碳層，用于阻止微型反射鏡板和在襯底上的著陸止動(dòng)件之間的粘著。

在另一個(gè)總的方面中，本發(fā)明涉及一種微器件，其包括：具有第一表面的第一靜止部件；具有第二表面的第二可動(dòng)部件，其中第二部件被配置使得通過(guò)運(yùn)動(dòng)而使第二表面和第一表面接觸；以及在第一表面和第二表面的至少一個(gè)上的碳層，用于阻止第一部件和第二部件之間的粘著。

這種系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)可以包括下述的一個(gè)或多個(gè)。形成碳層的步驟可以包括在第二結(jié)構(gòu)部分的表面上或者在第一結(jié)構(gòu)部分的表面上通過(guò)CVD淀積碳。碳層的厚度可以大于0.3納米。碳層的厚度可以大于1.0納米。犧牲材料可以包括無(wú)定形碳。碳層可以包括在除去部分犧牲材料的步驟中未被除去的無(wú)定形碳。淀積犧牲材料的步驟可以包括通過(guò)CVD或PECVD在第一結(jié)構(gòu)部分上淀積碳。該方法還可以包括在犧牲材料上淀積第一結(jié)構(gòu)材料層之前對(duì)犧牲材料平坦化。該方法還可以包括：在第一結(jié)構(gòu)材料層上形成掩模；選擇地除去未被掩模覆蓋的第一結(jié)構(gòu)材料以在第一結(jié)構(gòu)材料層內(nèi)形成開(kāi)口；以及通過(guò)開(kāi)口施加蝕刻劑以除去犧牲材料。第二結(jié)構(gòu)部分的至少一部分可以是導(dǎo)電的。第二結(jié)構(gòu)部分可被配置以使其響應(yīng)施加于襯底上或者第二結(jié)構(gòu)部分的導(dǎo)電部分上的電極的一個(gè)或多個(gè)電壓信號(hào)而在第一位置和第二位置之間運(yùn)動(dòng)。第二結(jié)構(gòu)部分的下表面可被配置使得在第二位置和第一結(jié)構(gòu)部分的上表面接觸，以及碳層被形成在第二結(jié)構(gòu)部分的下表面上或第一結(jié)構(gòu)部分的上表面上。第一結(jié)構(gòu)部分和第二結(jié)構(gòu)部分中的至少一個(gè)可以包括從以下材料構(gòu)成的組中選擇的材料：鈦，鉭，鎢，鉬，合金，鋁，鋁硅合金，硅，非晶硅，多晶硅，硅化物及其組合。第二結(jié)構(gòu)部分可以包括可傾斜反射鏡板和支撐著可傾斜反射鏡板的支柱。

這些實(shí)施方案可以具有下述的一個(gè)或多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。所披露的方法和系統(tǒng)對(duì)于在微器件中隱藏的接觸區(qū)域上提供防粘著材料是有用的。例如，在可傾斜反射鏡板和在襯底上的著陸止動(dòng)件之間的接觸表面可被隱藏在反射鏡板的下方。這些接觸表面通常在器件制造的最后階段被形成。所披露的方法和系統(tǒng)使得能夠作為制造過(guò)程的一部分把防粘著材料施加于接觸表面。所披露的方法和系統(tǒng)使得能夠把防粘著材料各向同性地淀積在隱藏在反射鏡板下方的接觸表面上。