[發明專利]具有抗粘著材料的微器件

無效

• 申請號: 200710146906.4
• 申請日: 2007-08-24
• 公開（公告）號: CN101174024A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 潘小河
• 申請（專利權）人: 視頻有限公司
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08;B81C1/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種用于制造微結構的方法，該方法包括：

在襯底上形成第一結構部分；

在第一結構部分上配置犧牲材料；

在犧牲材料和襯底上淀積第一結構材料層；

除去犧牲材料的至少一部分，以在第一結構材料層中形成第二結構部分，其中第二結構部分和襯底相連接，并可在第一位置和第二位置之間運動，其中，在第一位置上第二結構部分和第一結構部分相分離，而在第二位置上第二結構部分和第一結構部分相接觸；以及

在第二結構部分的表面和第一結構部分的表面中的至少一個上形成碳層，用于降低在第二結構部分和第一結構部分之間的粘著。

2.如權利要求1所述的方法，其中形成碳層的步驟包括通過CVD在第二結構部分的表面上或第一結構部分的表面上淀積碳。

3.如權利要求1所述的方法，其中碳層的厚度大于0.3納米。

4.如權利要求3所述的方法，其中碳層的厚度大于1.0納米。

5.如權利要求1所述的方法，其中犧牲材料包括無定形碳。

6.如權利要求5所述的方法，其中碳層包括在除去犧牲材料的一部分的步驟中未被除去的無定形碳。

7.如權利要求5所述的方法，其中配置犧牲材料的步驟包括通過CVD或PECVD在第一結構部分上淀積碳。

8.如權利要求1所述的方法，其中除去犧牲材料的一部分的步驟包括基本上除去全部犧牲材料。

9.如權利要求8所述的方法，其中形成碳層的步驟包括在除去步驟之后在第二結構部分的表面或第一結構部分的表面中的至少一個上淀積碳。

10.如權利要求8所述的方法，其中犧牲材料層包括從聚亞芳基、聚亞芳基乙醚、和氫化倍半硅氧烷構成的組中選擇的材料。

11.如權利要求1所述的方法，其中碳層包括無定形結構或處于多晶狀態。

12.如權利要求1所述的方法，還包括在犧牲材料上淀積第一結構材料層之前對犧牲材料進行平坦化。

13.如權利要求1所述的方法，還包括：

在第一結構材料層上形成掩模；

選擇地除去未被掩模覆蓋的第一結構材料以在第一結構材料層中形成開口；以及

通過所述開口施加刻蝕劑以除去犧牲材料。

14.如權利要求1所述的方法，其中第二結構部分的至少一部分是導電的。

15.如權利要求1所述的方法，其中第二結構部分的下表面被配置使得在第二位置上與第一結構部分的上表面相接觸，并且所述碳層被形成在第二結構部分的下表面或第一結構部分的上表面上。

16.如權利要求1所述的方法，其中第一結構部分和第二結構部分中的至少一個包括從由鈦、鉭、鎢、鉬、鋁、鋁硅合金、硅、非晶硅、多晶硅、硅化物以及它們的組合構成的組中選擇的材料。

17.如權利要求1所述的方法，其中第二結構部分包括可傾斜反射鏡板和支撐著可傾斜反射鏡板的支柱。

18.如權利要求1所述的方法，其中形成步驟包括在第二結構部分的表面上形成碳層。

19.如權利要求1所述的方法，其中形成步驟包括在第一結構部分的表面上形成碳層。

20.如權利要求1所述的方法，其中：

在所述襯底上具有支柱；

形成第一結構部分的步驟在襯底上形成凸起；以及

除去犧牲材料的至少一部分的步驟形成與所述支柱相連接的可傾斜微型反射鏡板，其中可傾斜微型反射鏡板可以在第一位置和第二位置之間運動，在第一位置上可傾斜的微型反射鏡板和所述凸起相分離，在第二位置上可傾斜微型反射鏡板和襯底上的所述凸起相接觸。

21.如權利要求20所述的方法，其中碳層的厚度大于0.3納米。

22.如權利要求21所述的方法，其中碳層的厚度大于1.0納米。

23.如權利要求20所述的方法，其中犧牲材料包括無定形碳。