[發明專利]吸雜層形成裝置

有效

• 申請號: 200710146695.4
• 申請日: 2007-08-24
• 公開（公告）號: CN101136313A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 荒井一尚
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/322
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黨曉林

技術領域

本發明涉及吸雜層形成裝置，其具有在半導體晶片的背面形成吸雜層的功能。

背景技術

形成有多個IC(Integrated?Circuit：集成電路)、LSI(large?scaleintegration：大規模集成電路)等器件的半導體晶片，在對背面進行磨削而形成期望的厚度之后，通過切割(dicing)裝置，被分割為一個個的器件，從而使用在各種電子設備中。

但是，當使半導體晶片的厚度變薄例如達到100μm以下那樣地進行鏡面加工時，半導體晶片中的所謂的吸雜效果降低，從而存在使器件質量降低這一問題。因此，提出了這樣的技術：通過在半導體晶片的背面上形成多晶硅層、氮化硅層等，使其產生吸雜效果(例如，參考專利文獻1)。在背面形成吸雜層，可通過磨削背面將半導體晶片形成為期望的厚度之后進行。

專利文獻1：日本特開2006-41258號公報

但是，當磨削半導體晶片的背面時，由于硅的原面(素面)露出成為活性面，因此，與空氣中的氧氣或雜質反應，從而存在很難形成發揮吸雜效果的多晶硅層、氮化硅層等這一問題。

發明內容

因此，本發明所要解決的課題在于，當在經過磨削的半導體晶片的背面上形成由多晶硅層、或氮化硅層構成的吸雜層的情況下，使吸雜層產生充分的吸雜效果。

本發明涉及一種吸雜層形成裝置，其對在表面上形成有多個器件的半導體晶片的背面進行磨削，并在背面形成吸雜層，該吸雜層形成裝置至少由以下部分構成：吸盤工作臺，其具有保持半導體晶片的保持面；磨削單元，其對表面側保持在保持面上的半導體晶片的背面進行磨削；清洗單元，其對背面被磨削了的半導體晶片進行清洗；吸雜層形成單元，其容納清洗完的半導體晶片，并在該半導體晶片的背面形成氮化硅層或多晶硅層中的任一層來作為吸雜層。

吸雜層形成單元優選兼具有對半導體晶片的背面進行干刻蝕的干刻蝕單元的功能。

發明效果

本發明的吸雜層形成裝置由于具有磨削單元和吸雜層形成單元，因此，能夠在磨削半導體晶片的背面之后，在成為活性面的該背面上直接形成多晶硅層或氮化硅層，因此，能夠在背面與空氣中的氧氣或雜質反應之前形成吸雜層。

此外，當吸雜層形成單元兼具有對半導體晶片的背面進行干刻蝕的干刻蝕單元的功能時，則可以干刻蝕半導體晶片的磨削后的背面，使半導體晶片的抗彎強度提高，并且，即使假設半導體晶片的背面在磨削后與空氣中的氧氣或雜質發生了反應，也可以通過干刻蝕除去該部分。

附圖說明

圖1是表示吸雜層形成裝置的一例的立體圖。

圖2是表示半導體晶片和保護部件的立體圖。

圖3是表示在半導體晶片的表面上粘貼有保護部件的狀態的立體圖。

圖4是概略表示吸雜層形成裝置的結構的剖面圖。

圖5是表示形成有吸雜層的半導體晶片的放大剖面圖。

標號說明

W：半導體晶片；W1：表面；S：芯片道；D：器件；W2：背面；10：保護部件；1：吸雜層形成裝置；11：第一晶片盒；12：第二晶片盒；13：搬出搬入單元；130：臂部；131：保持部；14：定位單元；15：清洗單元；150：旋轉臺；16：第一搬送單元；17：第二搬送單元；18：吸盤工作臺；19：轉臺；20：第一磨削單元；21：第二磨削單元；22：主軸；23：主軸箱；24：電動機；25：磨輪安裝部；26：磨輪；27：磨具；28：第一磨削進給單元；29：導軌；30：升降板；31：電動機；32：主軸；33：箱體；34：電動機；35：磨輪安裝部；36：磨輪；37：磨具；38：第二磨削進給單元；39：導軌；40：升降板；41：電動機；43：第三搬送單元；44：吸附部；45：臂部；46：驅動部；47：吸雜層形成單元；48：儲氣罐部；49a、49b、49c：閥；50：混合部；51：氣體供給部；52：處理部；53：刻蝕室；54：刻蝕氣體供給單元；55：吸盤工作臺；56：軸承；57：氣體流通孔；57a：噴出部；58：電動機；59：滾珠絲杠；60：升降部；61：軸承；62：抽吸源；63：抽吸通道；64：冷卻部；65：冷卻通道；66：開口部；67：擋板68：汽缸；69：活塞；70：氣體排出部；71：排氣口；72：高頻電源；80：吸雜層。

具體實施方式

圖1所示的吸雜層形成裝置1是這樣的裝置：能夠對半導體晶片的背面進行磨削，并在該經磨削的背面上形成吸雜層。