[發(fā)明專利]吸雜層形成裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710146695.4
• 申請日: 2007-08-24
• 公開（公告）號: CN101136313A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設計）人: 荒井一尚
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/322
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 黨曉林

1.一種吸雜層形成裝置，其對在表面上形成有多個器件的半導體晶片的背面進行磨削，并在該背面形成吸雜層，其特征在于，

所述吸雜層形成裝置至少由以下部分構成：

吸盤工作臺，其具有保持半導體晶片的保持面；

磨削單元，其對表面?zhèn)缺３衷谠摫３置嫔系陌雽w晶片的背面進行磨削；

清洗單元，其對該背面被磨削了的半導體晶片進行清洗；

吸雜層形成單元，其容納清洗完的半導體晶片，并在該半導體晶片的背面，形成氮化硅層或多晶硅層中的任一層作為吸雜層。

2.如權利要求1中所述的吸雜層形成裝置，其特征在于，

所述吸雜層形成單元兼具有對半導體晶片的背面進行干刻蝕的干刻蝕單元的功能。