[發明專利]存儲器件的讀取方法

有效

• 申請號: 200710145276.9
• 申請日: 2007-08-17
• 公開（公告）號: CN101252020A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 王鐘鉉;鄭畯燮;朱錫鎮
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊林森

1.?一種包括多級單元(MLC)的存儲器件的讀取方法，所述方法包括：

根據使用第一讀取電壓的第一讀取命令，執行讀取操作以讀取存儲塊，所述存儲塊包括多個頁；

如果使用所述第一讀取命令的所述讀取操作導致超過第一水平的第一錯誤率，則用使用第二讀取電壓的第二讀取命令執行所述讀取操作；以及

如果使用所述第二讀取命令的所述讀取操作導致超過第二水平的第二錯誤率，則用使用第三讀取電壓的第三讀取命令執行所述讀取操作。

2.?如權利要求1的讀取方法，其中所述第一讀取電壓包括至少三個不同的電壓，用于讀取MLC的至少三個不同的被編程狀態。

3.?如權利要求2的讀取方法，其中所述第一讀取電壓對應于為存儲器件定義的初始讀取電壓，以及

其中所述第二讀取電壓包括至少三個不同的電壓，用于讀取MLC的至少三個不同的被編程狀態，所述第二讀取電壓具有分別低于所述第一讀取電壓的電壓。

4.?如權利要求3的讀取方法，其中所述第三讀取電壓包括至少三個不同的電壓，用于讀取MLC的至少三個不同的被編程狀態，所述第三讀取電壓具有分別低于所述第二讀取電壓的電壓。

5.?如權利要求1的讀取方法，其中使用所述第一、第二和第三讀取命令執行用于所述存儲塊的所述讀取操作，至少所述第二和第三命令被配置成補償與非易失性存儲器件的保持特性有關的閾值電壓偏移現象。

6.?如權利要求1的讀取方法，其中通過使用錯誤校正碼(ECC)方法執行錯誤校正。

7.?如權利要求1的讀取方法，其中如果所述第一錯誤率被確定為被處理數據的至少百分之10，則所述第一錯誤率被認為超過所述第一水平。

8.?如權利要求7的讀取方法，其中如果所述第二錯誤率被確定為被處理數據的至少百分之10，則所述第二錯誤率被認為超過所述第二水平。

9.?如權利要求1的讀取方法，進一步包括：

在執行所述第三讀取命令后使用預定數量的讀取命令執行所述讀取操作之后，如果第N個錯誤率超過給定水平，則指示所述存儲塊為失效塊。

10.?如權利要求1的讀取方法，進一步包括：

在對所述存儲塊中所有的頁都執行所述讀取操作之后，執行塊拷貝操作以將儲存在所述存儲塊中的數據拷貝到另一存儲塊。

11.?如權利要求1的讀取方法，其中所述第一錯誤率通過對具有錯誤的單元的數量進行計數來確定，其中所述第一水平為被處理的單元的百分之10。

12.?一種用于包括多級單元(MLC)的非易失性存儲器件的讀取方法，所述方法包括：

提供多個補償的讀取命令，每個補償的讀取命令具有用于補償所述MLC的閾值電壓分布的偏移的讀取電壓；

使用第一補償的讀取命令執行讀取操作，以讀取存儲塊中的MLC，所述第一補償的讀取命令具有第一補償的讀取電壓；以及

執行塊拷貝操作，以將儲存在所述存儲塊的數據拷貝到另一存儲塊。

13.?如權利要求12的讀取方法，進一步包括：

確定錯誤率是否超過給定水平；以及

如果所述錯誤率超過給定水平，則使用第二補償的讀取命令執行所述讀取操作。

14.?如權利要求13的讀取方法，其中所述補償的讀取命令具有比為所述MLC定義的初始讀取電壓更低的電壓。

15.?如權利要求13的讀取方法，其中所述錯誤率通過對具有錯誤的單元的數量進行計數來確定。

16.?如權利要求13的讀取方法，其中如果所述錯誤率小于所述給定水平，則使用ECC方法執行錯誤校正。

17.?如權利要求12的讀取方法，其中如果存儲塊不能使用任何所述補償的讀取命令來有效讀取，則所述存儲塊被指示為失效塊。

18.?如權利要求12的讀取方法，其中所述塊拷貝操作通過使用補償的讀取命令來執行，所述補償的讀取命令具有所述多個補償的讀取命令之中最低電壓的補償的讀取電壓。