[發明專利]為使光罩保持潔凈的系統無效
| 申請號: | 200710143553.2 | 申請日: | 2007-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN101364040A | 公開(公告)日: | 2009-02-11 |
| 發明(設計)人: | 廖莉雯 | 申請(專利權)人: | 廖莉雯 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;B08B5/00 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使光罩 保持 潔凈 系統 | ||
技術領域
本發明涉及一種使光罩可保持潔凈度的技術領域,特別是涉及一種可減少外部環境微粒水氣進入移轉容器、且有效控制移轉容器內環境的為使光罩保持潔凈的系統,以達增加晶圓良率、提高生產量與降低成本之效。
背景技術
近年來,電子產品不斷朝向輕薄短小、高頻、高效能等特性發展,而欲滿足這個產品發展的方向,用于電子產品中的核心晶片就需微小化與具有高效能,而欲使晶片微小化與具高效能,則需使晶片上的集成電路線徑微細化,因此現有的集成電路線徑已由早期的0.25微米發展至90~45納米,而晶片上集成電路線徑的微細化的成敗主要在于半導體制程中的黃光微影制程技術,而其關鍵設備是在掃描步進機(Scanner)與光罩(Reticle);
但目前光罩于制作、清洗、操作與儲存、運輸的過程中,不論是置于容置光罩的移轉容器或無塵室的環境中,均存在有不少的微粒、水氣、氣體、化學溶劑分子等有害物質,這些有害物質會附著于光罩表面,且在經長時間儲存或晶圓曝光制程的加熱后,會于光罩表面產生微粒附著、結晶、又或霧化等現象,而直接影響到光罩于黃光微影制程中的透光率,進而使光罩上的圖形失真,其會造成晶圓良率降低,且增加清理與改善的時間,造成生產量降低,相對上也會提高營運的成本;
因此,為了解決這個問題,業界開發有如美國專利第US?4,532,970號與美國專利第US?4,534,389號的晶圓、光置密閉移轉系統,以確保周圓環境的微粒不致進入緊鄰光罩與晶圓的環境中。但以其中光罩為例,造成光罩污損的原因除了微粒外,更進一步包含環境中的水氣、有毒氣體、塑膠制移載容器所釋出的硫化物和制作光罩制程中殘留或是光罩上圖形材質本身釋出的氨(NH4)、以及光罩清洗過程中殘留的化學分子等有害物質,以結晶為例,其化學式為(NH4)2SO4,此一結晶物由前述不同原因釋出的氨(NH4)及硫酸根離子(SO4)經高能量光源與環境水氣等化合而成,因此經常發生光罩于清洗后,再經一段時間的儲存后,只要一經黃光微影制程中的紫外線照射曝光就會產生結晶的現象;
而造成此一問題的主要原因來自于儲存容器的氣密性不足,使移載容器外的環境空氣中的微粒、水分子不斷的滲入,而提供其化學反應所需的元素。再者該移載容器主要是以塑膠制成,其材料會不斷的釋出硫化物等有害氣體,且氣體會滲透進入光罩,和光罩圖形材質本身或是移載容器內氨氣產生反應,造成有害物質附著于光罩正反兩面與光罩護膜表面。又光罩護膜主要是以鋁框為主,其需進行鋁合金的硫酸陽極處理,使鋁框表面產生硫酸根離子殘留的問題。
故為了解決這些問題,業界開發有于移載容器上加裝充、填氣的結構,可將干凈的惰性氣體注入該移載容器內以擠出有害氣體,同時進一步提升該移載容器的氣密性,以防止外部微粒進入、且防止干凈的惰性氣體流失,如中國臺灣專利公告第223680號及第I262164號等,其均在通過該移載容器結構的改變,來提高移載容器的氣密性,但于結構上進行氣密性的改良是一項重大的工程,不僅需要增加開發、制模與組裝的成本,且受到材質、蓋合力與接觸面積等因素的影響,其并無法達到完全氣密的效果,因此移載容器內的氣體仍然會漸漸流失,由于微粒與水分子極小,因此移載容器在經長時間儲存后,外部環境中的有害物質仍會進入該移載容器內,失去其保護作用。再者長時間的擺置移載容器材質和光罩圖形材質中的有害物質仍會逐漸釋出,其一樣會造成光罩與光罩表面的污損、霧化與結晶等,進一步影響到晶圓加工的良率、產量與成本。
所以在目前的光罩管理系統中,不論是軟件的設計、進出料的順序與儲存時間等,都需經過特別的設計,把握光罩早進早出的原則,且超過特定儲存時間后,光罩并需重新經過清洗才能進入制程,無形間增加管理的不便,也提高其維持光罩潔凈的成本。
換言之,如能提供一種可長時間維持移載中光罩潔凈度的裝置或系統,則不僅克服前述光罩清凈后儲存時的污損問題,增加光罩管理的便利性,且可有效達到提升良率、增加產量與降低成本之效。
有鑒于此,本發明即在于解決上述光罩無法長時間保持潔凈的問題,而經由本發明人長期從事相關產業的研發與制作經驗,經不斷努力的改良,終于成功開發一種為使光罩保持潔凈的系統,借以克服現有光罩無法長時間維持潔凈度的問題,進一步提升光罩的潔凈度。
發明內容
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





