[發明專利]使用等離子體處理基材的設備

有效

• 申請號: 200710143413.5
• 申請日: 2007-07-31
• 公開（公告）號: CN101304629A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: 申泰浩
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 梁興龍;武玉琴

相關申請的交叉參考?

本申請要求2007年5月10日提交的韓國專利申請2007-45711的優先權，在此引入該韓國專利申請的全部內容作為參考。?

技術領域

本發明涉及基材處理設備，更具體而言，涉及一種使用等離子體處理基材的設備。?

背景技術

需要各種處理來制造半導體器件。在包括沉積處理、蝕刻處理和清潔處理的眾多處理中，從氣體產生等離子體并將其供應到諸如晶片等半導體基材上，以在晶片上沉積薄膜或從晶片上除去諸如氧化物或污染物等薄膜。?

目前，已經使用兩種方法從等離子體處理設備提供磁場。一種方法是使用永磁體提供磁場，另一種方法是使用電磁體提供磁場。在使用永磁體提供磁場的情況下，可以提供用于特定處理的最優化磁場，但是難于改變磁場的形狀或強度。在使用電磁體提供磁場的情況下，可以自由控制磁場的形狀或強度，但是由于磁體布局的限制而難于提供最優化的磁場。美國專利No.5,215,619公開了一種等離子體蝕刻設備，其中圍繞處理室布置有四個磁體。在使用具有這種結構的設備的情況下，增強等離子體密度的均勻性受到限制，特別是在相應于相鄰磁體之間區域的晶片區處的蝕刻均勻性比其他區更低。?

發明內容?

本發明的示例性實施例涉及等離子體處理設備。在示例性實施例中，所述等離子體處理設備可以包括：殼體，其中設置有用于容納基材的空間；氣體供應件，用于將氣體供應進所述殼體中；等離子體源，用于從供應進所述殼體中的氣體產生等離子體；以及磁場形成件，用于在所述殼體內部產生等離子體的區域中提供磁場，其中所述磁場形成件包括：第一磁體單元，所述第一磁體單元包括配置成包圍所述殼體并彼此隔開的多個第一磁體；以及與所述第一磁體單元分層隔開的第二磁體單元，所述第二磁體單元包括配置成包圍所述殼體并彼此隔開的多個第二磁體，其中所述第一磁體單元和所述第二磁體單元相對于所述第一磁體單元與所述第二磁體單元之間的水平面以從它們彼此垂直對齊的位置旋轉預定角度的狀態設置。?

在另一個示例性實施例中，所述等離子體處理設備可以包括：在其中進行等離子體處理的殼體；置于所述殼體中的等離子體源，用于從供應進所述殼體中的氣體產生等離子體；以及配置成包圍所述殼體的圓周并分層隔開的至少兩個磁體單元，其中每個所述磁體單元包括配置成呈包圍所述殼體側部的形狀并彼此隔開的多個電磁體，以及其中在相鄰層中設置的所述電磁體相對于相鄰磁體單元之間的面以從所述電磁體彼此垂直對齊的位置旋轉預定角度的狀態布置。?

附圖說明

圖1是基材處理設備的例子的俯視平面圖。?

圖2是圖1示出的等離子體處理設備的結構剖視圖。?

圖3是圖2示出的等離子體處理設備的立體圖。?

圖4是圖3示出的磁場形成件的立體圖。?

圖5是圖4的俯視平面圖。?

圖6A～圖7B示出磁場大小的均勻性和等離子體密度的均勻性之間的關系。?

圖8A～圖9C示出當使用常規的等離子體處理設備時和當使用圖3所示的等離子體處理設備時磁場大小和等離子體密度。?

圖10～圖13示出本發明等離子體處理設備的各種變化例子。?

具體實施方式

下面參考顯示本發明優選實施例的附圖，將更完整地描述本發明。然而，可以以許多不同的形式體現本發明，并且不應當認為本發明限制于在此描述的實施例。相反，提供這些實施例將使本發明內容清楚、完整，并向本領域技術人員充分表達本發明的范圍。在附圖中，為清楚起見，各元件或各部件的形狀被放大顯示。?

在這一實施例中，以晶片作為等離子體處理目標進行示例性說明，并且對使用電容耦合的等離子體作為等離子體源的等離子體處理設備進行說明。然而，本發明的實施例不限于上述這些，等離子體處理目標可以是諸如玻璃基材等另一種基材，并且等離子體源可以是電感耦合的等離子體。?

圖1是本發明實施例的基材處理設備1的例子的俯視平面圖。基材處理設備1包括設備前端模塊10和處理設備20。?