[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710142785.6
• 申請日: 2007-08-23
• 公開（公告）號: CN101131994A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: 韓載元
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種半導體器件，包括：

第一襯底，包括電感單元；

第二襯底，包括射頻裝置電路，所述射頻裝置電路具有晶體管和引線；和

連接電極，用于使得所述電感單元和所述射頻裝置電路電連接。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一襯底包括：

形成于半導體襯底上的電感單元；和

連接至所述電感單元并穿透所述半導體襯底的穿透電極。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述連接電極通過所述穿透電極電連接至所述電感單元。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二襯底包括：

晶體管層，具有形成在半導體襯底上的晶體管；和

金屬層，形成在所述晶體管層上。

5.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述電感單元和所述穿透電極由從W、Cu、Al、Ag和Au組成的集合中選擇的一種材料制成。

6.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

形成第一襯底和第二襯底，所述第一襯底具有電感單元，所述第二襯底包括射頻裝置電路，該射頻裝置電路具有晶體管和引線；和

將所述第一襯底疊置在所述第二襯底上，并使得所述電感單元電連接至所述射頻裝置電路。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述形成第一襯底的步驟包括：

在半導體襯底上形成電感單元；和

形成待連接至所述電感單元并穿透所述半導體襯底的穿透電極。

8.如權利要求7所述的方法，其中通過連接電極使所述電感單元和所述射頻裝置電路電連接。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述連接電極通過所述穿透電極電連接至所述電感單元。

10.如權利要求7所述的方法，其中所述電感單元和所述穿透電極由從W、Cu、Al、Ag和Au組成的集合中選擇的一種材料制成。