[發明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法和具有其的顯示設備

有效

• 申請號: 200710142674.5
• 申請日: 2007-08-20
• 公開（公告）號: CN101127358A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 柳慧英;金彰洙;姜秀馨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張波;陶鳳波

技術領域

本發明涉及一種顯示設備，尤其涉及一種TFT基板、制造TFT基板的方法以及具有該TFT基板的顯示設備。

背景技術

近來，諸如有機發光顯示器(OLED)、等離子體顯示屏(PDP)和液晶顯示器(LCD)的平板顯示設備得到了發展，替代又重又大的陰極射線管(CRT)顯示器。PDP設備利用放電產生的等離子體顯示圖像。OLED設備利用特殊有機材料和聚合物的有機電致發光顯示圖像和字符。LCD設備通過控制穿過液晶層的光的透射率來顯示圖像。

通常，LCD設備包括薄膜晶體管(TFT)基板、公共電極基板和設置于TFT基板和公共電極基板之間的液晶層。當在制造LCD設備的過程中TFT基板和公共電極基板未對準時，LCD設備的顯示質量會受到不利影響。

為了防止顯示質量受到未對準的影響，可以采用陣列上濾色器(COA)結構，在該結構中濾色器設置于TFT基板上。不過，來自濾色器的雜質可能會經過像素電極之間的間隙或開口流出，污染液晶并導致顯示殘留圖像。

此外，在把有機絕緣層用作像素電極下方的平坦化層時，來自有機平坦化層的雜質會流出來。結果，液晶仍然被污染，并增大殘留圖像。

發明內容

根據本發明的一個方面，能夠消除諸如殘留圖像的缺陷的薄膜晶體管(TFT)基板包括柵電極、柵極絕緣層、半導體層、源電極、漏電極、有機層、無機絕緣層和像素電極。柵電極形成于基板上并電連接到柵極線。柵極絕緣層形成于所述基板上以覆蓋所述柵極線和所述柵電極。半導體層形成于對應于所述柵電極的所述柵極絕緣層上。源電極電連接到數據線，所述數據線沿與柵極線的縱向交叉的方向形成于柵極絕緣層上。源電極在所述半導體層上。漏電極形成于所述半導體層上，并與所述源電極相對，以在所述源電極和漏電極之間界定所述半導體層的溝道區域。有機層形成于柵極絕緣層上以覆蓋源電極、漏電極和數據線。有機層具有暴露溝道區域的第一開口。無機絕緣層形成于有機層和第一開口的內表面上，并具有基本均勻的厚度。像素電極設置于無機絕緣層上且電連接到漏電極。

根據本發明，如下提供了一種制造TFT基板的方法。在基板上形成柵極線和電連接到柵極線的柵電極。柵極絕緣層形成于所述基板上以覆蓋所述柵極線和所述柵電極。半導體層形成于對應于所述柵電極的所述柵極絕緣層上。在所述柵極絕緣層上沿與所述柵極線的延伸方向交叉的方向形成數據線、在所述半導體層上形成電連接到所述數據線的源電極以及與所述源電極相對的漏電極從而在所述源電極和漏電極之間界定所述半導體層的溝道區域。在所述柵極絕緣層上形成有機層以覆蓋所述數據線、所述源電極和所述漏電極，所述有機層具有暴露所述溝道區域的第一開口。無機絕緣層形成于有機層和第一開口的內表面上，并具有基本均勻的厚度。像素電極形成于無機絕緣層上且電連接到漏電極。

根據本發明的又一個方面，顯示設備包括第一基板、柵電極、柵極絕緣層、半導體層、源電極、漏電極、有機層、無機絕緣層、像素電極和第二基板。柵電極設置于第一基板上并電連接到柵極線。柵極絕緣層設置于所述第一基板上以覆蓋所述柵極線和所述柵電極。半導體層設置于對應于所述柵電極的所述柵極絕緣層上。源電極電連接到數據線并在半導體層上，所述數據線沿與柵極線的縱向交叉的方向形成于柵極絕緣層上。漏電極形成于所述半導體層上，并與所述源電極相對，以在所述源電極和漏電極之間界定所述半導體層的溝道區域。有機層設置于柵極絕緣層上以覆蓋源電極、數據線和漏電極。有機層具有暴露溝道區域的第一開口。無機絕緣層設置于有機層和第一開口的內表面上，并具有基本均勻的厚度。像素電極設置于無機絕緣層上且電連接到漏電極。第二基板面對所述第一基板且包括公共電極。

根據本發明的一方面，在有機層上設置無機絕緣層。于是，可以阻擋來自有機層的雜質，從而可以防止液晶被污染并可以減少諸如殘留圖像的顯示缺陷。

根據本發明的TFT基板的制造方法，在大約100℃到大約250℃的低溫下形成無機絕緣層。于是，可以防止對下部有機層造成損傷且可以增強顯示屬性。

另外，根據本發明的制造TFT基板的方法，通過形成具有精確厚度的無機絕緣層可以縮短制造時間。

附圖說明

在結合附圖考慮的時候，參考以下詳細說明，本發明的以上和其他優點將變得容易明了，其中：

圖1為平面圖，示出了根據本發明第一示例實施例的薄膜晶體管(TFT)基板的一部分；

圖2為取自圖1中的線I-I′的截面圖。

圖3到6為示出了圖1中所示的TFT基板的制造方法的截面圖；

圖7為示出了根據本發明的第二示例實施例的TFT基板的截面圖；