[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法和具有其的顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710142674.5
• 申請日: 2007-08-20
• 公開（公告）號: CN101127358A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳慧英;金彰洙;姜秀馨
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張波;陶鳳波

1.一種薄膜晶體管TFT基板，包括：

基板；

形成于所述基板上且電連接到柵極線的柵電極；

形成于所述基板上從而覆蓋所述柵極線和所述柵電極的柵極絕緣層；

對應(yīng)于所述柵電極形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層；

形成于所述半導(dǎo)體層上且電連接到數(shù)據(jù)線的源電極，所述數(shù)據(jù)線沿與所述柵極線的縱向交叉的方向形成于所述柵極絕緣層上；

漏電極，形成于所述半導(dǎo)體層上且與所述源電極相對從而在所述源電極和漏電極之間界定所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域；

形成于所述柵極絕緣層上從而覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述數(shù)據(jù)線的有機(jī)層，所述有機(jī)層具有暴露所述溝道區(qū)域的第一開口；

形成于所述有機(jī)層和所述第一開口的內(nèi)表面上的無機(jī)絕緣層，所述無機(jī)絕緣層具有基本均勻的厚度；以及

設(shè)置于所述無機(jī)絕緣層上且電連接到所述漏電極的像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其中所述有機(jī)層包括濾色器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT基板，其中所述無機(jī)絕緣層包括氮化硅或氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT基板，其中所述無機(jī)絕緣層在100℃到250℃的低溫下通過淀積工藝形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT基板，其中所述無機(jī)絕緣層完全覆蓋所述有機(jī)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT基板，其中所述無機(jī)絕緣層的厚度在100到2000的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT基板，其中所述有機(jī)層與所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極和所述柵極絕緣層中的至少一個接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT基板，其中所述有機(jī)層的厚度在2.5μm到3.5μm的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT基板，其中所述半導(dǎo)體層與所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極重疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT基板，還包括由與所述柵極線基本相同的層形成的存儲電極，并且

其中所述有機(jī)層具有第二開口，所述第二開口暴露設(shè)置于所述存儲電極上的所述柵極絕緣層的一部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT基板，其中所述無機(jī)絕緣層形成于所述第二開口的內(nèi)側(cè)表面和通過所述第二開口暴露的所述柵極絕緣層上。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT基板，其中所述有機(jī)層具有用于暴露所述漏電極的一部分的第三開口，所述無機(jī)絕緣層具有用于暴露所述漏電極的所述部分的開口，且所述像素電極通過所述無機(jī)絕緣層的所述開口和所述有機(jī)層的所述第三開口電連接到所述漏電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的TFT基板，還包括至少一個間隔體，位于并填充所述第一、第二和第三開口中的至少一個。

14.根據(jù)權(quán)利要求所述的TFT基板，其中所述間隔體包括光阻擋材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的TFT基板，還包括擋光填料，設(shè)置于并填充所述第一、第二和第三開口中的至少一個。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其中所述像素電極形成于所述第一開口之外。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的TFT基板，其中所述像素電極具有切口圖案，所述切口圖案將一個像素部分分成多個域。