[發(fā)明專利]使用虛擬層改變物理版圖數(shù)據(jù)的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710142511.7 | 申請日: | 2007-08-15 |
| 公開(公告)號: | CN101127056A | 公開(公告)日: | 2008-02-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 崔丞鎬 | 申請(專利權(quán))人: | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50;G03F1/14 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 徐金國;梁揮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 虛擬 改變 物理 版圖 數(shù)據(jù) 方法 | ||
1.一種方法,包括如下步驟:
對目標(biāo)設(shè)計進(jìn)行編碼,并綜合用于所編碼目標(biāo)設(shè)計的邏輯;
生成虛擬層;
在相應(yīng)的位置上布局邏輯塊,并布線所述邏輯塊以使其連接至執(zhí)行元件;
提取多個引線電阻值或多個電容值的至少其中之一,并針對物理實施來執(zhí)行時序檢查和串?dāng)_分析;
檢查晶體管的互連和布線是否與電路相匹配,以及檢查引線間距和柵長度是否與預(yù)設(shè)規(guī)格一致;以及
基于所述虛擬層形成掩模。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,通過執(zhí)行版圖寄生提取過程來提取所述多個引線電阻值或多個電容值的至少其中之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,針對物理實施采用靜態(tài)時序分析。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,通過執(zhí)行版圖與電路原理圖一致性檢查來檢查所述晶體管的互連和布線是否與所述電路相匹配。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,通過執(zhí)行設(shè)計規(guī)則檢查來檢查引線間距和柵長度是否與預(yù)設(shè)規(guī)格一致。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,通過采用光學(xué)臨近校正來基于所述虛擬層形成所述掩模。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述生成虛擬層的步驟包括使用高級交互編程語言生成所述虛擬層。
8.一種方法,包括如下步驟:
確定N和P有源層名稱是否存在;
如果N和P有源層名稱存在,則確定頂單元是否有層次;
如果所述頂單元有層次,則創(chuàng)建底單元列表;
在底單元中生成N有源虛擬層和P有源虛擬層;
從所述底單元刪除現(xiàn)有的公共有源層;
確定目前單元是否是所述底單元列表中最后一個單元;
如果所述目前單元是所述底單元列表中最后一個單元,則在所述頂單元生成N有源虛擬層和P有源虛擬層;以及
從所述頂單元刪除現(xiàn)有的公共有源層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,還包括如下步驟:如果所述頂單元沒有層次,則在所述頂單元生成N有源虛擬層和P有源虛擬,以及從所述頂單元刪除現(xiàn)有的公共有源層。
10.一種方法,包括如下步驟:
確定N和P有源層名稱是否存在;
如果N和P有源層名稱存在,則確定頂單元是否有層次;
如果所述頂單元有層次,則臨時展平所述頂單元的底單元;
在所述展平的頂單元中生成N有源虛擬層和P有源虛擬層;
從所述展平的頂單元刪除現(xiàn)有的公共有源層并生成新的示例單元;
取消所述頂單元的臨時展平;以及
在所述頂單元示例化所述示例單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,如果所述頂單元有層次,則臨時展平所述頂單元的底單元至20層。
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