[發明專利]形成絕緣膜的方法

有效

• 申請號: 200710142216.1
• 申請日: 2007-08-20
• 公開（公告）號: CN101131919A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: 廣瀨隆之;江戶雅晴;佐藤啟
• 申請（專利權）人: 富士電機控股株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/31
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 張鑫

1.一種形成絕緣膜的方法，包括在基板上真空層壓絕緣有機材料的步驟，所述基板具有形成于所述基板的周邊區域中的周邊環形電極，以及形成于所述周邊區域內部的器件元件，并且具有包括凸起部分的表面配置，其中第一虛擬圖案形成于所述基板上的所述周邊環形電極與所述器件元件之間的區域中。

2.如權利要求1所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述絕緣有機材料是干膜抗蝕劑。

3.如權利要求1或權利要求2所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案是形成于所述基板上的電鍍圖案、形成于所述基板中的通孔圖案、或者由在所述基板的表面上挖出的凹坑形成的凹陷圖案。

4.如權利要求3所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案是矩形圖案或橢圓形圖案，各個圖案具有垂直或平行于周邊環形電極的所述邊緣線的縱向，或者各個圖案具有垂直和平行于周邊環形電極的所述邊緣線的縱向組合。

5.如權利要求3所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案是正方形圖案或圓形圖案。

6.如權利要求5所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案是由排列成柵格的正方形或圓形構成的圖案。

7.如權利要求4到6的任一個所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案與所述器件元件之間的距離基本上等于形成于所述基板上的所述器件元件之間的距離。

8.如權利要求1或權利要求2所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案由選自權利要求4到6中定義的所述圖案的圖案組合構成。

9.如權利要求1或權利要求2所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案具有與所述器件元件的部分或整個圖案相同的配置，并且所述第一虛擬圖案具有與形成于所述基板上的所述器件元件的重復周期相同的重復周期。

10.一種形成絕緣膜的方法，包括在基板上真空層壓絕緣有機材料的步驟，所述基板具有形成于所述基板上的器件元件并具有包括凸起部分的表面配置，其中第二虛擬圖案形成于所述器件元件的側面區域中。

11.一種形成絕緣膜的方法，包括在基板上真空層壓絕緣有機材料的步驟，所述基板具有形成于所述基板的周邊區域中的周邊環形電極和形成于所述周邊區域內部的器件元件，并具有包括凸起部分的表面配置，其中第二虛擬圖案形成于所述器件元件的側面區域中。

12.一種形成絕緣膜的方法，包括在基板上真空層壓絕緣有機材料的步驟，所述基板具有形成于所述基板的周邊區域中的周邊環形電極和形成于所述周邊區域內部的器件元件，并具有包括凸起部分的表面配置，其中第一虛擬圖案形成于所述基板上的所述周邊環形電極與所述器件元件之間的區域中，而第二虛擬圖案形成于所述器件元件的側面區域中。

13.如權利要求10到12的任一項所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述絕緣有機材料是干膜抗蝕劑。

14.如權利要求10或13的任一項所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案進一步形成于所述基板上的所述周邊環形電極與所述器件元件之間的區域中。

15.如權利要求10到14的任一項所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第二虛擬圖案是形成于所述基板上的電鍍圖案。

16.如權利要求15所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述電鍍圖案是排列成與所述器件元件的所述側面區域平行的矩形圖案。

17.如權利要求15所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述電鍍圖案為三角形或梯形。

18.如權利要求15所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述電鍍圖案由各自近似矩形的多個部分構成。