[發明專利]在半導體器件中形成微圖案的方法

無效

• 申請號: 200710141000.3
• 申請日: 2007-08-15
• 公開（公告）號: CN101197257A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 李相彧
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/312;H01L21/311;G03F7/00;G03F7/09
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種方法，包含下列步驟：

在半導體襯底上形成有機底部抗反射層；

在該有機底部抗反射層上形成光致抗蝕劑圖案；以及

蝕刻在該光致抗蝕劑圖案下的有機底部抗反射層的側邊部分，以形成底部抗反射層圖案。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述底部抗反射層圖案的組成部分的尺寸小于光致抗蝕劑圖案的組成部分的尺寸。

3.如權利要求2所述的方法，其中：

該光致抗蝕劑圖案的組成部分的尺寸為約130nm；以及

所述底部抗反射層圖案的組成部分的尺寸在約70nm和約120nm之間。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述底部抗反射層圖案的組成部分的尺寸為約80nm。

5.如權利要求1所述的方法，還包含下列步驟：

在上述形成該有機底部抗反射層的步驟之前，在該半導體襯底上形成硬掩模層；以及

使用該有機底部抗反射層圖案作為蝕刻掩模來蝕刻該硬掩模層，以形成硬掩模層圖案。

6.如權利要求5所述的方法，其中該硬掩模層包含氧化層、氮化物層以及氮氧化物層的至少其中之一。

7.如權利要求5所述的方法，還包含如下步驟：

在上述形成該硬掩模層的步驟之前，在該半導體襯底上形成蝕刻層；以及

使用該硬掩模層圖案作為蝕刻掩模來蝕刻該蝕刻層，以形成蝕刻層圖案。

8.如權利要求7所述的方法，其中該蝕刻層包含金屬和多晶硅的至少其中之一。

9.如權利要求1所述的方法，包含在所述有機底部抗反射層上形成光致抗蝕劑膜的步驟，其中：

將該光致抗蝕劑膜的多個預定區域曝光于來自光源的光；

利用溶液對所述預定區域進行顯影處理；以及

在所述蝕刻步驟中，通過該溶液來蝕刻該有機底部抗反射層的側邊部分。

10.如權利要求9所述的方法，其中該光源以約248nm的波長發光。

11.如權利要求10所述的方法，其中該光源為KrF曝光設備。

12.如權利要求9所述的方法，其中該溶液為堿性顯影溶液。

13.如權利要求9所述的方法，其中在同一工藝步驟中對該預定區域進行顯影和對該側邊部分進行蝕刻。

14.如權利要求9所述的方法，其中在所述蝕刻步驟中，對側邊部分進行各向同性蝕刻。

15.如權利要求1所述的方法，其中該有機底部抗反射層包含濕有機底部抗反射層。

16.一種器件，其包含有：

底部抗反射層圖案，其形成于半導體襯底上；

光致抗蝕劑圖案，其形成于該有機底部抗反射層圖案上，其中所述光致抗蝕劑圖案的組成部分的尺寸大于在所述光致抗蝕劑圖案的各組成部分下的所述底部抗反射層圖案的組成部分的尺寸。

17.如權利要求16所述的器件，其中：

所述光致抗蝕劑圖案的組成部分的尺寸為約130nm；以及

所述底部抗反射層圖案的組成部分的尺寸在約70nm和約120nm之間。

18.如權利要求17所述的器件，其中所述底部抗反射層圖案的組成部分的尺寸為約80nm。

19.如權利要求16所述的器件，包含：硬掩模層圖案，其形成在所述半導體襯底上和所述底部抗反射層圖案下方。

20.如權利要求19所述的器件，包含：蝕刻層，其形成在所述半導體襯底上和所述硬掩模層圖案下方。