[發(fā)明專利]穿透硅通道芯片堆疊封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710140732.0
• 申請(qǐng)日: 2007-08-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101330076A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金鐘薰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云;許向華

1.一種穿透硅通道芯片堆疊封裝，包括：

基板；

多個(gè)堆疊在該基板上的芯片，每個(gè)芯片具有芯片選擇墊、穿透硅通道和分別連接該芯片選擇墊和該穿透硅通道的重布線，其中每個(gè)芯片的該穿透硅通道都相應(yīng)地與臨近堆疊的芯片的該穿透硅通道連接；和

外部連接終端，其貼裝在基板的下表面，

其中形成在每個(gè)堆疊的芯片中的該重布線，以在該芯片選擇墊和該穿透硅通道之間建立連接，使得連接該芯片選擇墊和該穿透硅通道的連接結(jié)構(gòu)對(duì)于每個(gè)堆疊的芯片不相同。

2.如權(quán)利要求1所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中堆疊在基板上的芯片的總數(shù)為2ⁿ，n為大于等于2的整數(shù)。

3.如權(quán)利要求2所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中堆疊在該基板上的芯片總數(shù)為4個(gè)。

4.如權(quán)利要求3所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中每個(gè)所述堆疊的芯片設(shè)有第一和第二芯片選擇墊、第一到第三穿透硅通道和兩個(gè)重布線，使得第一和第二芯片選擇墊與第一至第三穿透硅通道之間的連接對(duì)每個(gè)芯片都不同。

5.如權(quán)利要求4所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中第一穿透硅通道安置在第一和第二芯片選擇墊之間，以及第二和第三穿透硅通道分別安置在第一和第二芯片選擇墊外面。

6.如權(quán)利要求5所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中第一至第三穿透硅通道被施加Vss或Vcc信號(hào)。

7.如權(quán)利要求2所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中堆疊在基板上的所述芯片的總數(shù)為8個(gè)。

8.如權(quán)利要求7所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中每個(gè)所述堆疊的芯片設(shè)有第一至第三芯片選擇墊、第一至第四穿透硅通道和三個(gè)重布線，使得第一至第三芯片選擇墊與第一至第四穿透硅通道之間的連接對(duì)每個(gè)芯片都不同。

9.如權(quán)利要求8所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中第一和第二穿透硅通道安置在第一和第二芯片選擇墊之間，且第三和第四穿透硅通道安置在第二和第三芯片選擇墊之間。

10.如權(quán)利要求9所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中第一至第四穿透硅通道被施加Vss或Vcc信號(hào)。

11.如權(quán)利要求1所述的穿透硅通道芯片堆疊封裝，其中外部連接終端為焊料球。