[發明專利]射頻集成電路裝置

無效

• 申請號: 200710140370.5
• 申請日: 2007-08-10
• 公開（公告）號: CN101211916A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 王佑仁
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種射頻集成電路裝置，包括：

第一晶體管，由多指狀結構所形成，具有多個第一柵極指；以及

第二晶體管，由所述的多指狀結構所形成，具有多個第二柵極指，其中每兩個所述的多個第一柵極指與每兩個所述的多個第二柵極指相互交叉。

2.如權利要求1所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，該裝置進一步包括多個摻雜區，形成于所述的多個第一柵極指與所述的多個第二柵極指中任兩個柵極指之間。

3.如權利要求1所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，該裝置進一步包括多個第一漏極指，形成于所述的多個第一柵極指中的任兩個之間。

4.如權利要求1所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，該裝置進一步包括多個第二漏極指，形成于所述的多個第二柵極指中的任兩個之間。

5.如權利要求1所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，該裝置進一步包括多個共同源極指，形成于所述的多個第一柵極指其中之一與所述的多個第二柵極指其中之一之間。

6.如權利要求1所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，該裝置進一步包括防護環，該防護環耦接于所述的第一晶體管以及所述的第二晶體管的基體。

7.一種射頻集成電路裝置，包括：

多個第一柵極指；

多個第二柵極指，其中每兩個所述的多個第一柵極指與每兩個所述的多個第二柵極指相互交叉；

多個第一漏極指，形成于所述的多個第一柵極指中任兩個之間；

多個第二漏極指，形成于所述的多個第二柵極指中任兩個之間；以及

多個共同源極指，形成于所述的多個第一柵極指其中之一與所述的多個第二柵極指其中之一之間。

8.如權利要求7所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，該裝置進一步包括防護環，該防護環耦接于所述的多個第一柵極指、所述的多個第二柵極指、所述的多個第一漏極指、所述的多個第二漏極指以及所述的多個共同源極指。

9.如權利要求7所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的多個共同源極指布局在第一層，且所述的多個第一漏極指與所述的多個第二漏極指布局在不同于所述的第一層的第二層。

10.如權利要求7所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的多個共同源極指通過多個通孔與對應的摻雜區連接。

11.如權利要求10所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的多個通孔中填滿了導電材料。

12.如權利要求7所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的多個共同源極指通過絕緣層與所述的多個第一漏極指以及所述的多個第二漏極指隔離。

13.一種射頻集成電路裝置，包括：

第一差分對，包括：

第一漏極指，耦接于第一漏極線；

第一柵極指，耦接于第一柵極線；

第一源極指，耦接于共同源極線；

第二柵極指，耦接于第二柵極線；以及

第二漏極指，耦接于第二漏極線。

14.如權利要求13所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的第一差分對環繞有絕緣材料。

15.如權利要求13所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的第一源極指布局在第一層，且所述的第一漏極指與所述的第二漏極指布局在不同于所述的第一層的第二層。

16.如權利要求13所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的裝置進一步包括：

第二差分對，包括：

第三漏極指，耦接于該第一漏極線；

第三柵極指，耦接于該第一柵極線；

第二源極指，耦接于該共同源極線；

第四柵極指，耦接于該第二柵極線；以及

第四漏極指，耦接于該第二漏極線。

17.如權利要求16所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的第一源極指通過通孔來與對應的摻雜區連接。

18.如權利要求17所述的射頻集成電路裝置，其特征在于，所述的通孔中填滿了導電材料。