[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法無效
| 申請號: | 200710140028.5 | 申請日: | 2007-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN101132019A | 公開(公告)日: | 2008-02-27 |
| 發明(設計)人: | 孫泫撤 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李家麟 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光顯示設備和制造有機發光顯示設備的方法。本發明尤其涉及具有改進了接觸電阻的有機發光顯示設備和制造該有機發光顯示設備的方法。
背景技術
近來,已經開發了各種類型的平板顯示設備,以解決基于陰極射線管的顯示設備的諸如重量和體積之類的缺點。這種平板顯示設備包括,例如,液晶顯示設備、場致發光顯示設備、等離子體顯示設備、有機發光顯示設備等。其中,例如,有機發光顯示設備(OLED顯示設備)通過使有機層中的電子和空穴復合而產生可見光來顯示圖像。OLED顯示設備可以提供諸如快響應時間、低功耗、廣視角等各種優點。
有源矩陣顯示設備可以包括用于每個發光像素的一個或多個晶體管。當減小顯示器的尺寸以例如實現便攜式電子設備中的顯示設備時,或當增加顯示設備的分辨率時,還必須減小單元的尺寸。這會要求減小晶體管和其互連部分所占據的面積。因此,需要進一步的開發以能制造單元尺寸小的顯示設備。
發明內容
本發明因此而針對一種有機發光顯示設備和制造有機發光顯示設備的方法,本發明基本上克服了由于現有技術的限制和缺點引起的一個或多個問題。
因此本發明的一個實施例的特征是提供一種有機發光顯示設備和制造該有機發光顯示設備的方法,得以制造小單元尺寸顯示設備并且無需不適當增加接觸缺陷和接觸電阻。
因此本發明實施例的另一個特征是所提供的一種有機發光顯示設備和制造有機發光顯示設備的方法,在其制造期間能夠減小高寬比特征需求。
可以通過提供一種顯示設備來實現本發明上述和其它特征和優點中的至少一種,所述顯示設備包括有晶體管設置在其上并包含與所述晶體管相連接的源/漏極的基板,設置在晶體管上的中間層,源/漏極穿透中間層,設置在中間層上的發光結構,發光結構通過第一電極連接到源/漏極的延伸部分,延伸部分在中間層的上表面上延伸,在源/漏極穿透中間層處的中間層上表面上的第一開口,并且第一電極接觸源/漏極處的接觸區域,其中,接觸區域的面積大于第一開口的面積,并且接觸區域不與第一開口重疊。
顯示設備還可以包括絕緣層和第二中間層,其中源/漏極穿透絕緣層,絕緣層設置在基板和中間層之間以及晶體管的柵極和晶體管的溝道區之間,并且第一電極穿透第二中間層,中間層設置在第二中間層和絕緣層之間。顯示設備還可以包括設置在第二中間層上和具有大體平坦頂表面的平面化層。
源/漏極可以設置在通過中間層延伸的接觸孔中,第一電極可以設置在通孔中,通孔的下開口使接觸區域暴露,并且在顯示設備的布局中,通孔可以大于接觸孔。顯示設備還可以包括在中間層上的第二中間層,其中通孔通過第二中間層延伸,下開口可以在第二中間層的下表面上,并且通孔的下開口的面積可以等于接觸區域。
源/漏極可以設置在通過中間層延伸的接觸孔中,第一電極可以設置在通孔中,通孔的下開口使接觸區域暴露,并且通孔可以不與在顯示設備的布局中的接觸孔重疊。通孔和接觸孔可以隔開約1μm到2μm。
第一電極可以包括第一電極層和第二電極層。第一電極層可以是反射層,而第二電極層可以是透明導電層。顯示設備還可以進一步包括在中間層上的第二中間層,第一電極設置在穿透第二中間層并暴露源/漏極延伸部分的通孔中,其中,第一電極層可以設置在第二電極層和第二中間層之間,而第二電極層可以在通孔的下開口處直接接觸源/漏極。
源/漏極可以設置在接觸孔中,第一電極可以設置在通孔中,通孔的下開口暴露接觸區域,通孔可以具有短邊和長邊,通孔的短邊可以比接觸孔的寬度更寬,通孔的短邊可以在第一方向上離開接觸孔而延伸,通孔的長邊可以沿與第一方向大體垂直的第二方向延伸。在顯示設備的布局中,源/漏極的外圍部分可以完全包圍接觸孔和通孔。在該布局中,通孔可以與晶體管的柵極重疊。
第一電極可以設置在通孔中,顯示設備還可以包括第二通孔,第一電極也設置在第二通孔中,并且第一電極也可以接觸被第二通孔的下開口所暴露的第二接觸區域中的源/漏極。第二通孔可以與晶體管的柵極重疊。晶體管可以包括柵極和兩個源/漏區域,并且柵極的寬度可以比源/漏區域中任何一個(either)的寬度都要窄。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





