[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法

無效

• 申請號: 200710140028.5
• 申請日: 2007-08-06
• 公開（公告）號: CN101132019A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: 孫泫撤
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李家麟

1.一種顯示設備，包括：

有晶體管設置在其上并含有與所述晶體管相連接的源/漏極的基板；

設置在所述晶體管上的中間層，所述源/漏極穿透所述中間層；

設置在所述中間層上的發光結構，所述發光結構通過第一電極連接到所述源/漏極的延伸部分，該延伸部分延伸跨過所述中間層的上表面；

在所述源/漏極穿透所述中間層處的所述中間層的上表面上的第一開口；以及

所述第一電極接觸所述源/漏極處的接觸區域，

其中，所述接觸區域的面積大于所述第一開口的面積，并且所述接觸區域不與所述第一開口重疊。

2.如權利要求1所述的顯示設備，還包括絕緣層和第二中間層，其中：

所述源/漏極穿透所述絕緣層，所述絕緣層設置在所述基板和所述中間層之間以及設置在所述晶體管的柵極和所述晶體管的溝道區之間，并且

所述第一電極穿透所述第二中間層，所述中間層設置在所述第二中間層和所述絕緣層之間。

3.如權利要求2所述的顯示設備，還包括設置在所述第二中間層上并具有大體平坦的頂表面的平面化層。

4.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，所述源/漏極設置在通過所述中間層延伸的接觸孔中，

所述第一電極設置在通孔中，所述通孔的下開口使接觸區域暴露，以及

在所述顯示設備的布局中，所述通孔大于所述接觸孔。

5.如權利要求4所述的顯示設備，還包括在所述中間層上的第二中間層，其中，所述通孔通過所述第二中間層延伸；

所述下開口在所述第二中間層的下表面上；并且

所述通孔的下開口的面積等于接觸區域。

6.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，所述源/漏極設置在通過所述中間層延伸的接觸孔中；

所述第一電極設置在通孔中，所述通孔的下開口使所述接觸區域暴露；并且

在顯示設備的布局中，所述通孔不與所述接觸孔重疊。

7.如權利要求6所述的顯示設備，其特征在于，所述通孔和所述接觸孔隔開約1μm到2μm。

8.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，所述第一電極包括第一電極層和第二電極層。

9.如權利要求8所述的顯示設備，其特征在于，所述第一電極層是反射層，而所述第二電極層是透明導電層。

10.如權利要求8所述的顯示設備，還包括在所述中間層上的第二中間層，所述第一電極設置在穿透所述第二中間層并暴露所述源/漏極的延伸部分的通孔中，

其中，所述第一電極層設置在所述第二電極層和所述第二中間層之間，并且

所述第二電極層在所述通孔的下開口處直接接觸所述源/漏極。

11.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于：

所述源/漏極設置在接觸孔中，

所述第一電極設置在通孔中，所述通孔的下開口暴露所述接觸區域，

所述通孔具有短邊和長邊，

所述通孔的短邊比所述接觸孔的寬度寬，

所述通孔的短邊在第一方向上離開所述接觸孔而延伸，并且

所述通孔的長邊在與第一方向大體垂直的第二方向上延伸。

12.如權利要求11所述的顯示設備，其特征在于，在顯示設備的布局中，所述源/漏極的外圍部分完全包圍所述接觸孔和所述通孔。

13.如權利要求12所述的顯示設備，其特征在于，在布局中，所述通孔與所述晶體管的柵極重疊。

14.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，所述第一電極設置在通孔中，

所述顯示設備還包括第二通孔，所述第一電極也設置在所述第二通孔中，并且

所述第一電極也接觸被所述第二通孔的下開口暴露的第二接觸區域中的所述源/漏極。

15.如權利要求11所述的顯示設備，其特征在于，所述第二通孔與所述晶體管的柵極重疊。

16.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，所述晶體管包括柵極和兩個源/漏區域，并且所述柵極的寬度比所述源/漏區域中的任意一個的寬度都要窄。