[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710140023.2
• 申請(qǐng)日: 2007-08-07
• 公開（公告）號(hào): CN101101893A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丘大維;鄭逸圣;顏士益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

液晶顯示器由于具有輕薄短小、低輻射與低耗電等特性，已取代傳統(tǒng)陰極射線管顯示器成為顯示器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。一般說來，液晶顯示面板主要包括薄膜晶體管的陣列基板、彩色濾光片基板，以及填充于陣列基板與彩色濾光片基板之間的液晶分子層。陣列基板包括多個(gè)呈陣列排列的像素，且每一像素是利用多條平行的掃描線與多條與掃描線垂直的平行數(shù)據(jù)線定義而成，并以薄膜晶體管作為開關(guān)元件，利用像素電極驅(qū)動(dòng)各像素上方的液晶分子作不同程度的旋轉(zhuǎn)以調(diào)整各像素的亮度，同時(shí)通過彩色濾光片基板上與各像素對(duì)應(yīng)設(shè)置的紅色、綠色與藍(lán)色濾光片使各像素產(chǎn)生不同亮度的紅色、綠色與藍(lán)色光線，進(jìn)而輸出高畫質(zhì)的彩色影像。

請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖6，圖1至圖6為公知制作像素結(jié)構(gòu)的方法。如圖1所述，首先提供基底12，且基底12上具有至少一晶體管區(qū)14以及電容區(qū)16。然后形成圖案化多晶硅層18于晶體管區(qū)14及電容區(qū)16。其中，晶體管區(qū)14的圖案化多晶硅層18是于后續(xù)工藝中用來形成晶體管的源極/漏極區(qū)域，而電容區(qū)16的圖案化多晶硅層18則作為電容下電極。其次，形成圖案化多晶硅層18的步驟可依照一般制作低溫多晶硅層的標(biāo)準(zhǔn)步驟來完成。例如可先形成非晶硅層(圖未示)于基底1?表面，然后進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火(excimerlaser?anneal)工藝，使非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層。緊接著再進(jìn)行圖案化工藝，去除部分多晶硅層，以于基底12上形成圖案化多晶硅層18。

接著如圖2所示，形成由氧化硅所構(gòu)成的柵極介電層20于基底12表面并覆蓋圖案化多晶硅層18，然后形成圖案化光致抗蝕劑層22于柵極介電層20上，并利用圖案化光致抗蝕劑層22當(dāng)作掩模進(jìn)行離子注入工藝，將P型或N型摻質(zhì)注入基底12表面的圖案化多晶硅層18中，以于晶體管區(qū)14的圖案化多晶硅層18中形成源極/漏極區(qū)域24。

如圖3所示，然后形成由鉬所構(gòu)成的導(dǎo)電層(圖未示)于柵極介電層20上，并進(jìn)行圖案化工藝，去除部分導(dǎo)電層，以于晶體管區(qū)14的柵極介電層20上形成柵極26以及于電容區(qū)16的柵極介電層20上形成電容上電極28。接著利用柵極26當(dāng)作掩模進(jìn)行離子注入工藝，將P型或N型摻質(zhì)注入基底12表面的圖案化多晶硅層18中，以于晶體管區(qū)14的圖案化多晶硅層18中形成輕摻雜源極/漏極30。至此即在晶體管區(qū)14完成晶體管以及在電容區(qū)16完成電容的制作。

隨后如圖4所示，形成介電層32于柵極介電層20表面并覆蓋柵極26及電容上電極28，然后進(jìn)行圖案化工藝，以于介電層32及柵極介電層20中形成多個(gè)接觸洞34。

如圖5所示，接著形成圖案化金屬層于介電層32上并填滿各接觸洞34，以形成多條導(dǎo)線36連接源極/漏極區(qū)域24。

然后如圖6所示，形成另一個(gè)介電層38于導(dǎo)線36上，當(dāng)作平坦層，并進(jìn)行另一圖案化工藝，例如利用圖案化光致抗蝕劑層(圖未示)當(dāng)作掩模進(jìn)行蝕刻工藝，以于介電層38中形成至少一開口40。接著形成圖案化透明導(dǎo)電層于介電層38上并填滿開口40，以形成相對(duì)應(yīng)的像素電極42，進(jìn)而完成公知像素結(jié)構(gòu)的制作。

值得注意的是，上述的公知工藝一般需用到至少七道掩模才可完成像素結(jié)構(gòu)的制作，容易造成成本增加。此外，公知跟晶體管一起制作完成的電容結(jié)構(gòu)都是由多晶硅層、由氧化硅所構(gòu)成的介電層以及由鉬所構(gòu)成的導(dǎo)電層所組成。此電容的設(shè)計(jì)雖可達(dá)到一般像素結(jié)構(gòu)的需求，但在很多情況下仍無法提供滿意的儲(chǔ)存容量。因此，如何有效節(jié)省工藝的步驟并提升電容的儲(chǔ)存量即為現(xiàn)今一個(gè)重要課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種制作像素結(jié)構(gòu)的方法，以解決上述公知的問題。