[發(fā)明專利]高清晰度掩模及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710139911.2
• 申請日: 2007-08-03
• 公開（公告）號: CN101118376A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜在賢
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種高清晰度掩模及其制造方法。

背景技術(shù)

衰減相移掩模(APSM)采用一種相移器(shifter)，其在鉻較佳地阻隔光時選擇性地發(fā)送約6-15％的光。

然而，受限于APSM的曝光分辨率，僅使用APSM難以形成70nm或更小的精細圖案。可通過圖1和圖2來說明。

圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的APSM，圖2是示出使用圖1中所示的APSM透射的光強度曲線圖。

參照圖1和圖2，現(xiàn)有技術(shù)的APSM具有在石英片10上被圖案化的相移器20。相移器20由形成100nm圖案的區(qū)域21和形成70nm圖案的區(qū)域22構(gòu)成。

在使用相移器20進行圖案化時，如圖2所示，對于形成100nm的圖案而言光強度沒有問題，但是對于形成70nm的圖案而言光強度卻存在問題。因此，由于在形成70nm圖案時的光強度降低，所以光沒有透射至底部，從而形成間隙30。

為了解決這個問題，引入了使用雙掩模進行兩次曝光的雙曝光光刻(DEL)方法。然而，在光刻工藝期間這種方法也產(chǎn)生相應(yīng)的問題，所以這種方法也較難實施。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的第一實施例提供一種高清晰度掩模，包括：石英片；PSM區(qū)，以預(yù)定圖案形成在該石英片上；和CLM區(qū)，按預(yù)定大小相比該PSM區(qū)以更精密的圖案形成。

本發(fā)明的第二實施例提供一種高清晰度掩模的制造方法，包括以下步驟：提供石英片；在該石英片的PSM區(qū)和CLM區(qū)中分別形成PSM圖案和CLM圖案；通過使用所述CLM圖案作為掩模來蝕刻該石英片從而形成CLM區(qū)；和去除抗蝕圖案。

本發(fā)明可通過一次曝光可同時實現(xiàn)清晰度所需的各種圖案，其效果在于可減少在制造工藝中所需的成本和時間。

附圖說明

圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的APSM的示圖。

圖2是示出使用圖1中所示的APSM透射的光強度曲線圖。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的高清晰度掩模的示圖。

圖4是示出使用圖3中所示的高清晰度掩模透射的光強度的曲線圖。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施例在進行圖案化之前形成在石英片上的相移器的示圖。

圖6是示出對圖5中所示的相移器進行圖案化的示圖。

圖7是示出通過在圖6中所示的相移器上涂覆抗蝕劑并對其圖案化從而形成抗蝕圖案的示圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例所完成的高清晰度掩模的示圖。

具體實施方式

在本說明書中引用的“一實施例”、“實施例”、“示例性實施例”等均表示在本發(fā)明的至少一個實施例中包括參照該實施例所描述的特定特點、結(jié)構(gòu)或特征。在說明書中各處出現(xiàn)的這種表達不一定指的是同一實施例。此外，在參照任一實施例描述特定特點、結(jié)構(gòu)或特征時，可以理解的是其落在所屬技術(shù)普通人員也能夠參照其它實施例實現(xiàn)這種特點、結(jié)構(gòu)或特征的范圍內(nèi)。

盡管參照本發(fā)明的多個示例性實施例描述了本發(fā)明的實施例，應(yīng)理解的是，由所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員對本發(fā)明進行的多種其它修改以及所設(shè)計的實施例均落于本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本發(fā)明說明書、附圖和所附權(quán)利要求的公開范圍內(nèi)，在主要的組合配置的組件部分和/或其它配置中可以進行各種變化和修改。除了可以對組件部分和/或配置進行變化和修改，對于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，選擇性的使用也將是清楚的。

以下，將參照附圖描述本發(fā)明優(yōu)選實施例。然而，并不限于其中所述的實施例，通過添加、修改和刪除其它要素能夠很容易的提出另一實施例或在本發(fā)明實施例的范圍內(nèi)包括的實施例。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的高清晰度掩模的示圖，圖4是示出使用圖3中所示的高清晰度掩模透射的光強度的曲線圖。

參照圖3，高清晰度掩模配置有在石英片100上形成的相移掩模(PSM)區(qū)120和無鉻掩模(CLM)區(qū)131。

PSM區(qū)120是能夠形成約100nm的圖案的區(qū)域，CLM區(qū)131是能夠形成約70nm的圖案的區(qū)域。

CLM區(qū)131是對部分石英片100圖案化的部分。在形成CLM區(qū)131的第一區(qū)132和第二區(qū)133之間形成預(yù)定高度差h。

由于這種高度差，在透射第一區(qū)132和第二區(qū)133的各條光波長中產(chǎn)生差值。然后，由于上述光波長的差值，在這種光之間產(chǎn)生干涉和消除等。

如上所述，如果在光之間產(chǎn)生干涉和消除等，可以看出，對于密度方面，70nm圖案的光強度幾乎對應(yīng)于100nm圖案的光強度的范圍，如圖4所示。