[發(fā)明專利]高清晰度掩模及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710139911.2
• 申請(qǐng)日: 2007-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN101118376A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜在賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/00
• 分類號(hào): G03F1/00
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種高清晰度掩模，包括：

石英片；

相移掩模即PSM區(qū)，以預(yù)定圖案形成在該石英片上；和

無鉻掩模即CLM區(qū)，按預(yù)定大小相比該P(yáng)SM區(qū)以更精密的圖案形成。

2.如權(quán)利要求1所述的高清晰度掩模，其中所述CLM區(qū)是使得石英片以預(yù)定圖案蝕刻的區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的高清晰度掩模，其中用以形成所述CLM區(qū)的圖案具有預(yù)定的高度差。

4.如權(quán)利要求3所述的高清晰度掩模，其中所述高度差等于透射光的半波長。

5.一種高清晰度掩模的制造方法，包括以下步驟：

提供石英片；

在該石英片的相移掩模即PSM區(qū)和無鉻掩模即CLM區(qū)中分別形成PSM圖案和CLM圖案；

通過使用所述CLM圖案作為掩模來蝕刻該石英片從而形成CLM區(qū)；和去除該抗蝕圖案。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中在形成PSM圖案和CLM圖案的步驟中包括以下步驟：

在該石英片上形成相移器；和

通過蝕刻該相移器在所述PSM區(qū)和所述CLM區(qū)中形成PSM圖案和CLM圖案。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中在通過使用所述CLM圖案作為掩模來蝕刻該石英片從而形成CLM區(qū)的步驟中，在配置有所述PSM圖案和CLM圖案的所述石英片上涂覆抗蝕劑，然后

去除在配置有所述CLM圖案的區(qū)域中的抗蝕劑。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中形成CLM區(qū)的步驟包括：對(duì)所述石英片進(jìn)行深度為透射光的半波長的蝕刻。