[發明專利]顯示裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200710139010.3
• 申請日: 2007-07-20
• 公開（公告）號: CN101127366A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 樸承圭;許宗茂;金泰延
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 韓明星;譚昌馳

1.一種顯示裝置，包括：

絕緣基底；

半導體層，形成在所述絕緣基底上，并包含硅和氟；

源電極，所述源電極的至少一部分形成在所述半導體層上；

漏電極，所述漏電極的至少一部分形成在所述半導體層上，所述漏電極與所述源電極分開，并在所述源電極和所述漏電極之間具有溝道區；

歐姆接觸層，形成在所述半導體層和所述源電極之間以及所述半導體層和所述漏電極之間；

絕緣層，形成在所述半導體層上。

2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導體層在所述溝道區中的部分比所述半導體層的周邊部分薄。

3.如權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述半導體層包含多晶硅。

4.如權利要求3所述的顯示裝置，還包括設置在所述絕緣層上并對應于所述溝道區的柵電極。

5.如權利要求4所述的顯示裝置，還包括緩沖層，所述緩沖層設置在所述絕緣基底和所述半導體層之間并包含氧化硅。

6.如權利要求4所述的顯示裝置，其中，接觸孔形成在所述絕緣層中，以暴露所述漏電極，所述顯示裝置還包括像素電極，所述像素電極通過所述接觸孔連接到所述漏電極。

7.如權利要求6所述的顯示裝置，還包括形成在所述像素電極上的有機層。

8.一種顯示裝置，包括：

絕緣基底；

半導體層，形成在所述絕緣基底上，并包含硅；

源電極，所述源電極的至少一部分形成在所述半導體層上；

漏電極，所述漏電極的至少一部分形成在所述半導體層上，所述漏電極與所述源電極分開，并在所述源電極和所述漏電極之間具有溝道區；

歐姆接觸層，形成在所述半導體層和所述源電極之間以及所述半導體層和所述漏電極之間；

界面層，形成在所述溝道區中的半導體層上，并包含硅和氟；

絕緣層，形成在所述界面層上。

9.一種制造顯示裝置的方法，包括以下步驟：

在絕緣基底上順序地形成半導體層和歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上形成源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極彼此分開，并在所述源電極和所述漏電極之間具有溝道區；

通過去除所述歐姆接觸層的不被所述源電極和所述漏電極覆蓋的部分來暴露設置在所述源電極和所述漏電極之間的半導體層；

對所述暴露的半導體層進行酸處理；

在所述酸處理之后，在所述半導體層上形成絕緣層。

10.如權利要求9所述的方法，其中，采用氫氟酸、硫酸和硝酸中的至少一種執行所述酸處理。

11.如權利要求10所述的方法，其中，采用氫氟酸執行所述酸處理。

12.如權利要求11所述的方法，其中，所述氫氟酸的濃度以體積百分比計為0.001至10。

13.如權利要求10所述的方法，其中，采用浸漬法或噴射法執行所述酸處理。

14.如權利要求11所述的方法，還包括在所述酸處理之后采用氫等離子體處理所述半導體層。

15.如權利要求11所述的方法，其中，所述形成半導體層的步驟包括：在所述絕緣基底上形成非晶硅層；并使所述非晶硅層結晶。

16.如權利要求15所述的方法，還包括在所述絕緣基底上形成包含氧化硅的緩沖層，其中，所述非晶硅層形成在所述緩沖層上。

17.如權利要求15所述的方法，還包括對應于所述溝道區在所述絕緣層上形成柵電極。

18.如權利要求15所述的方法，還包括：在所述絕緣層中形成接觸孔，以暴露所述漏電極；形成像素電極，所述像素電極通過所述接觸孔連接到所述漏電極。

19.如權利要求18所述的方法，還包括在所述像素電極上形成有機層。