[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710139010.3
• 申請日: 2007-07-20
• 公開（公告）號: CN101127366A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸承圭;許宗茂;金泰延
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 韓明星;譚昌馳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法，更具體地講，涉及一種包括具有改進的特性的薄膜晶體管的顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

近來，已經(jīng)采用平板顯示器來代替陰極射線管(CRT)，所述平板顯示器例如為液晶顯示器(LCD)或有機發(fā)光二極管(OLED)。

LCD包括：第一基底，薄膜晶體管(TFT)形成在第一基底上；第二基底，與第一基底相對地設(shè)置；液晶層，置于這兩個基底之間。LCD還可包括位于第一基底后面的背光單元。根據(jù)液晶層中的液晶分子的取向來控制來自背光單元的光的透過率，而液晶層中的液晶分子的取向由通過TFT施加到像素電極的電壓確定。

OLED包括當被提供有電子和空穴時發(fā)光的有機發(fā)光層。OLED具有所需的驅(qū)動電壓低、重量輕、形狀細長、視角寬和響應快的優(yōu)點。有機發(fā)光層的發(fā)光強度通過由連接到TFT的像素電極提供的空穴的量確定。

在包括TFT的平板顯示器中，顯示品質(zhì)顯著地受到TFT品質(zhì)的影響。然而，隨著時間的過去，TFT由于使用而使其品質(zhì)和性能趨于劣化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種具有特性改進的TFT的顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種顯示裝置包括：絕緣基底；半導體層，形成在所述絕緣基底上，并包含硅和氟；源電極，所述源電極的至少一部分形成在所述半導體層上；漏電極，所述漏電極的至少一部分形成在所述半導體層上，所述漏電極與所述源電極分開，并在所述源電極和所述漏電極之間具有溝道區(qū)；歐姆接觸層，形成在所述半導體層和所述源電極之間以及所述半導體層和所述漏電極之間；絕緣層，形成在所述半導體層上。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述半導體層在所述溝道區(qū)中的部分比所述半導體層的周邊部分薄。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述半導體層包含多晶硅。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述顯示裝置還包括設(shè)置在所述絕緣層上并對應于所述溝道區(qū)的柵電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述顯示裝置還包括緩沖層，所述緩沖層設(shè)置在所述絕緣基底和所述半導體層之間并包含氧化硅。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，接觸孔形成在所述絕緣層中，以暴露所述漏電極，所述顯示裝置還包括像素電極，所述像素電極通過所述接觸孔連接到所述漏電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述顯示裝置還包括形成在所述像素電極上的有機層。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：絕緣基底；半導體層，形成在所述絕緣基底上，并包含硅；源電極，所述源電極的至少一部分形成在所述半導體層上；漏電極，所述漏電極的至少一部分形成在所述半導體層上，所述漏電極與所述源電極分開，并在所述源電極和所述漏電極之間具有溝道區(qū)；歐姆接觸層，形成在所述半導體層和所述源電極之間以及所述半導體層和所述漏電極之間；界面層，形成在所述溝道區(qū)中的半導體層上，并包含硅和氟；絕緣層，形成在所述界面層上。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：在絕緣基底上順序地形成半導體層和歐姆接觸層；在所述歐姆接觸層上形成源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極彼此分開，并在所述源電極和所述漏電極之間具有溝道區(qū)；通過去除所述歐姆接觸層的不被所述源電極和所述漏電極覆蓋的部分來暴露設(shè)置在所述源電極和所述漏電極之間的半導體層；對所述暴露的半導體層進行酸處理；在所述酸處理之后，在所述半導體層上形成絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，采用氫氟酸、硫酸和硝酸中的至少一種執(zhí)行所述酸處理。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，采用氫氟酸執(zhí)行所述酸處理。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述氫氟酸的濃度以體積百分比計為0.001至10。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，采用浸漬法或噴射法執(zhí)行所述酸處理。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述方法還包括在所述酸處理之后采用氫等離子體處理所述半導體層。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述形成半導體層的步驟包括：在所述絕緣基底上形成非晶硅層，并使所述非晶硅層結(jié)晶。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述方法還包括在所述絕緣基底上形成包含氧化硅的緩沖層，其中，所述非晶硅層形成在所述緩沖層上。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述方法還包括對應于所述溝道區(qū)在所述絕緣層上形成柵電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述方法還包括：在所述絕緣層中形成接觸孔，以暴露所述漏電極；形成像素電極，所述像素電極通過所述接觸孔連接到所述漏電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述方法還包括在所述像素電極上形成有機層。