[發明專利]差分電路和包括該差分電路的輸出緩沖器電路

無效

• 申請號: 200710138608.0
• 申請日: 2007-07-24
• 公開（公告）號: CN101114514A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 柳鐘在
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;H03K19/0185
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邸萬奎;李芳華

1.一種被配置為以高供電電壓運行的差分電路，該差分電路包括：

差分切換電路，其包括第一n型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管和第二n型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，并且被配置為對第一差分輸入信號和第二差分輸入信號執行差分切換操作，以輸出第一差分輸出信號和第二差分輸出信號，第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的每一個是高電壓NMOS晶體管；以及

均衡器，其耦合在第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源電極之間，并且被配置為控制所述第一差分輸出信號和第二差分輸出信號的帶寬。

2.如權利要求1所述的差分電路，其中在被配置為以高供電電壓和低供電電壓運行的多功率系統中采用所述差分電路。

3.如權利要求2所述的差分電路，還包括電流源電路，其耦合在第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源電極之間。

4.如權利要求3所述的差分電路，其中所述電流源電路包括至少一個低電壓NMOS晶體管。

5.如權利要求4所述的差分電路，其中所述電流源電路被配置為響應于偏壓在飽和區域中運行，所述偏壓施加到所述至少一個低電壓NMOS晶體管的柵極。

6.如權利要求3所述的差分電路，其中所述均衡器包括：

帶寬控制單元，其耦合在所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源電極之間；以及

均衡器控制單元，其耦合在所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源電極之間，并且被配置為響應于均衡器控制信號，控制所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源電極之間的電連接。

7.如權利要求6所述的差分電路，其中所述帶寬控制單元包括相互并聯耦合的可變電容器和可變電阻器，并且響應于帶寬控制信號，確定可變電容器的電容和可變電阻器的電阻。

8.如權利要求6所述的差分電路，其中所述均衡器控制單元包括第三NMOS晶體管，其具有被配置為接收所述均衡器控制信號的柵極。

9.如權利要求8所述的差分電路，其中所述第三NMOS晶體管是低電壓NMOS晶體管。

10.如權利要求9所述的差分電路，其中所述第三NMOS晶體管被配置為響應于施加到第三NMOS晶體管的柵極的均衡器控制信號，在飽和區域中運行。

11.如權利要求3所述的差分電路，還包括負載單元，其耦合在高供電電壓和差分切換電路之間。

12.如權利要求11所述的差分電路，其中所述負載單元包括：

第一負載電路，其耦合在高供電電壓和第一NMOS晶體管的漏電極之間；以及

第二負載電路，其耦合在高供電電壓和第二NMOS晶體管的漏電極之間。

13.一種差分電路，包括：

第一負載，其耦合到高供電電壓；

第二負載，其耦合到所述高供電電壓；

第一NMOS晶體管，其具有高電壓柵極氧化物層，該第一NMOS晶體管具有被配置為接收第一輸入信號的柵電極、以及耦合到所述第一負載的一個端子的漏電極；

第二NMOS晶體管，其具有高電壓柵極氧化物層，該第二NMOS晶體管具有被配置為接收第二輸入信號的柵電極、以及耦合到所述第二負載的一個端子的漏電極，所述第一輸入信號和第二輸出信號構成差分信號；

均衡器，其包括：

可變電容器，其耦合在所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源電極之間，以及

可變電阻器，其耦合在所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源電極之間，并且與所述可變電容器并聯；以及

切換電路，其與所述可變電阻器并聯地耦合在所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源電極之間。

14.如權利要求13所述的差分電路，還包括在所述均衡器和地電壓之間耦合的電流源。

15.如權利要求14所述的差分電路，其中在被配置為以高供電電壓和低供電電壓運行的多功率系統中采用所述差分電路。