[發(fā)明專利]晶體管開關(guān)的布局方案和方法、半導(dǎo)體器件和方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710138603.8
• 申請日: 2007-07-24
• 公開（公告）號(hào): CN101114829A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金光日;蔡炅國
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03K17/72
• 分類號(hào): H03K17/72
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 邵亞麗;邸萬奎

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

邏輯電路；和

一個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)；

其中該邏輯電路連接在電源電壓和地電壓之間，

其中該邏輯電路執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)邏輯運(yùn)算，

其中所述一個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)包括：

多個(gè)功率選通晶體管；和

與所述功率選通晶體管關(guān)聯(lián)的多個(gè)多晶硅電阻器；

其中所述一個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)根據(jù)該邏輯電路的激活模式、睡眠模式、或激活和睡眠模式，而切換電源電壓向邏輯電路的施加，并且

其中所述一個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)利用所述多晶硅電阻器而將電源電壓順序施加到該邏輯電路、順序阻止電源電壓向邏輯電路的施加、或?qū)㈦娫措妷喉樞蚴┘拥皆撨壿嬰娐凡㈨樞蜃柚闺娫措妷合蜻壿嬰娐返氖┘印?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中通過遮蓋功率選通晶體管的多晶硅區(qū)域，而形成所述多晶硅電阻器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其中利用硅化金屬阻止區(qū)遮蓋方法來遮蓋所述多晶硅區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述功率選通晶體管中的每一個(gè)的第一端與第一公共節(jié)點(diǎn)相連，

其中所述功率選通晶體管中的每一個(gè)的第二端與第二公共節(jié)點(diǎn)相連，和

其中所述功率選通晶體管的每一柵極與相鄰功率選通晶體管的每一柵極串聯(lián)連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，其中所述多晶硅電阻器形成在相鄰功率選通晶體管的柵極之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述一個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)安排在該電源電壓和該邏輯電路之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，其中該功率選通晶體管是由指明該邏輯電路的激活模式、睡眠模式、或激活和睡眠模式的功率選通使能信號(hào)導(dǎo)通的PMOS晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，其中該第一公共節(jié)點(diǎn)的電壓是該電源電壓，并且

其中該第二公共節(jié)點(diǎn)的電壓是虛擬電源電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述一個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)安排在該邏輯電路和該地電壓之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，其中該功率選通晶體管是由指明該邏輯電路的激活模式、睡眠模式、或激活和睡眠模式的功率選通使能信號(hào)的反相信號(hào)導(dǎo)通的NMOS晶體管。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中該第一公共節(jié)點(diǎn)的電壓是該地電壓，并且

其中該第二公共節(jié)點(diǎn)的電壓是虛擬地電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括：

兩個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)；

其中所述兩個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)中的至少一個(gè)安排在該電源電壓和該邏輯電路之間，和

其中所述兩個(gè)或多個(gè)功率選通晶體管開關(guān)中的至少一個(gè)安排在該邏輯電路和該地電壓之間。

13.一種功率選通晶體管開關(guān)的布局方案，其中該功率選通晶體管開關(guān)包括多個(gè)功率選通晶體管，該布局方案包括：

激活區(qū)域；

安排在所述激活區(qū)域之間的多晶硅選通區(qū)域；和

連接所述多晶硅選通區(qū)域的多晶硅區(qū)域；

其中所述多晶硅區(qū)域用作多晶硅電阻器。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的布局方案，其中通過遮蓋所述多晶硅區(qū)域而形成所述多晶硅電阻器。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的布局方案，其中利用硅化金屬阻止區(qū)遮蓋方法來遮蓋所述多晶硅區(qū)域。

16.根據(jù)權(quán)利要求13的布局方案，其中所述功率選通晶體管中的每一個(gè)的第一端與第一公共節(jié)點(diǎn)相連，

其中所述功率選通晶體管中的每一個(gè)的第二端與第二公共節(jié)點(diǎn)相連，和

其中所述功率選通晶體管的每一柵極與相鄰功率選通晶體管的每一柵極串聯(lián)連接。

17.根據(jù)權(quán)利要求16的布局方案，其中所述多晶硅電阻器形成在相鄰功率選通晶體管的柵極之間。

18.根據(jù)權(quán)利要求13的布局方案，其中由以下信號(hào)導(dǎo)通所述晶體管：

功率選通使能信號(hào)；或

功率選通使能信號(hào)的反相信號(hào)。