[發明專利]多階單元存儲器的編程方法

有效

• 申請號: 200710138320.3
• 申請日: 2007-07-27
• 公開（公告）號: CN101354919A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 何信義;鄒年凱;黃怡仁;林永豐
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 葛寶成;黃小臨

技術領域

本發明涉及一種多階單元(multi-level?cell；MLC)存儲器的編程方法，且特別是核計一種可在讀取操作中獲得較狹窄化(tightened)編程分布(program?distribution)的MLC存儲器編程方法。

背景技術

圖1A至圖1D示出了傳統MLC存儲器的編程過程中編程位達到預定編程狀態的閾值電壓(threshold?voltage；Vt)分布示意圖。如圖1A所示，存儲器起初具有抹除態(erase-state)的Vt分布，而且存儲器的每一位編程至一預定編程狀態(targeted?program?state)。預定編程狀態的Vt分布具有一編程驗證(program?Verify；PV)值(下限值)。為了使編程位具有較狹窄的Vt分布，傳統上是另外設定一預編程驗證(Pre-PV)值，其值小于上述的PV值，而且執行下列的兩階段式編程操作。

第一次粗略(rough)編程操作中，經過幾次編程射擊(shot)后，存儲器的位會被編程達到如圖1B所示的Vt分布A。圖1B中位于虛線區域的位是具有Vt值不低于預定編程狀態的Pre-PV值。此時，存儲器記錄通過Pre-PV值(亦即具有Vt值不低于Pre-PV值)的位。然后，在Vt分布A中具有Vt值低于Pre-PV值的位又進一步編程至通過Pre-PV值，以產生如圖1C所示的Vt分布B。

Vt分布B中所示的位是完全通過Pre-PV值，且存儲器記錄圖1C中虛線區域所示通過PV值的位。然后，在第二次細微(fine)編程操作中，Vt分布B中具有Vt值低于PV值的位更進一步被編程而通過PV值，以產生如圖1D所示的預定編程分布C，并完成整個編程流程。

然而，如圖1C所示，在第一次編程操作后，一些Vt值接近而稍低于PV值的編程較快速位(以虛線區域F表示)會在第二次編程操作中再次被編程達到較高的Vt值，因而造成預定編程狀態的Vt分布變得非常寬，進而增加位錯誤率。

發明內容

本發明是有關于一種MLC存儲器的編程方法。在每次編程操作中，當至少一編程位通過預定編程狀態的PV值時，位線(bit?line)偏壓BL即降低一固定值，而當沒有任何編程位通過預定編程狀態的PV值時，在下一次編程操作中將BL值增加一固定值。藉由判斷是否至少一個新位通過PV值，可狹窄化編程分布并增加編程速度。

根據本發明，提出一種MLC存儲器的編程方法。MLC存儲器包括多個位。每一位具有多個編程狀態，且每一編程狀態具有一編程驗證值PV。本方法包括：(a)使用一位線偏壓BL來編程該存儲器中具有閾值電壓值Vt小于一預定編程狀態的編程驗證值PV的位，以成為編程位，其中，位線偏壓BL值大于0；(b)當存儲器中所有位的閾值電壓值Vt皆不低于預定編程狀態的編程驗證值PV時，結束本方法，否則繼續下一步驟(c)；以及(c)當所有編程位的閾值電壓值Vt皆低于編程驗證值PV時，設定BL＝BL+K1并重復該步驟(a)，而當至少一編程位的閾值電壓值Vt不低于編程驗證值PV時，設定BL＝BL-K2并重復該步驟(a)，其中K1及K2為固定的正值。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1D示出了傳統MLC存儲器的編程過程中編程位達到預定編程狀態的Vt分布示意圖。

圖2示出了依照本發明一較佳實施例的一種MLC存儲器編程方法流程圖。

圖3示出了依照本發明較佳實施例字符線偏壓操作的示意圖。

圖4示出了依照本發明較佳實施例位線偏壓操作的示意圖。

具體實施方式

本發明提供一種MLC存儲器的編程方法。未通過預定編程狀態PV值的存儲器位是利用位線偏壓BL來加以編程。當至少一個編程位通過PV值時，偏壓值BL降低一固定值，而當沒有任何編程位通過PV值時，偏壓值BL則增加一固定值。然后，再使用新的偏壓值BL來編程未通過PV值的位。因此，可增加編程速度并狹窄化編程分布，以降低存儲器的位錯誤率。

請參照圖2，其示出了依照本發明一較佳實施例的一種MLC存儲器編程方法流程圖。MLC存儲器，例如是一種具有氧化層-氮化層-氧化層(oxide-nitride-oxide；ONO)結構，且為電荷捕獲(charge?trapped)的閃存。