[發明專利]多階單元存儲器的編程方法

有效

• 申請號: 200710138320.3
• 申請日: 2007-07-27
• 公開（公告）號: CN101354919A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 何信義;鄒年凱;黃怡仁;林永豐
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 葛寶成;黃小臨

1.一種多階單元存儲器的編程方法，該多階單元存儲器包括多個位，該多階單元存儲器具有多個編程狀態，各所述編程狀態具有一編程驗證值PV，該方法包括：

a)使用一位線偏壓BL來編程該存儲器中具有閾值電壓值Vt小于一預定編程狀態的該編程驗證值PV的位，以成為編程位，其中，該位線偏壓BL值大于0；

b)當該存儲器中所有所述位的閾值電壓值Vt皆不低于該預定編程狀態的該編程驗證值PV時，結束本方法，否則繼續下一步驟c)；以及

c)當所述編程位的閾值電壓值Vt皆低于該編程驗證值PV時，設定BL＝BL+K1并重復該步驟a)，而當所述編程位其中至少一編程位的閾值電壓值Vt不低于該編程驗證值PV時，設定BL＝BL-K2并重復該步驟a)，其中，K1及K2為固定的正值。

2.如權利要求1所述的方法，其中，該多階單元存儲器是具有氧化層-氮化層-氧化層結構的一電荷捕獲存儲器。

3.如權利要求1所述的方法，其中，該多階單元存儲器是一閃存。

4.如權利要求1所述的方法，其中，該多階單元存儲器具有四個編程狀態11、10、00及01。

5.如權利要求1所述的方法，其中，該固定正值K1為50mV。

6.如權利要求1所述的方法，其中，該固定正值K2為50mV。

7.如權利要求1所述的方法，其中，在編程操作一開始到至少一編程位通過該編程驗證值PV之間，各所述編程位的一字符線具有一固定電壓降。

8.如權利要求7所述的方法，其中，該步驟a)在于第一次出現至少一編程位具有閾值電壓值Vt不低于該預定編程狀態的該編程驗證值PV之前，對應該預定編程狀態01、00及10的所述編程位的該位線偏壓BL分別為9.5V、8.5V及7.5V。

9.如權利要求7所述的方法，其中，在該步驟a)中在第一次出現至少一編程位具有閾值電壓值Vt不低于該預定編程狀態的該編程驗證值PV之后，所述編程位的該位線偏壓BL是一固定電壓。

10.如權利要求7所述的方法，其中，各所述編程位的一初始位線偏壓被加以選擇以開啟編程操作。

11.如權利要求10所述的方法，其中，該步驟a)中對應該預定編程狀態，各所述編程位的該初始位線偏壓是2V-3V。

12.如權利要求1所述的方法，其中，該步驟c)更包括：

當該位線偏壓BL值大于一第一預設電壓時，設定該第一預設電壓為該位線偏壓BL。

13.如權利要求12所述的方法，其中，該第一預設電壓為6V-7V。

14.如權利要求1所述的方法，其中，該步驟c)更包括：

當該位線偏壓BL值小于一第二預設電壓時，設定該第二預設電壓為該位線偏壓BL。

15.如權利要求14所述的方法，其中，該第二預設電壓為2V-3V。

16.如權利要求1所述的方法，其中，各所述編程狀態的閾值電壓值Vt分布寬度為300mV-400mV。

17.如權利要求1所述的方法，其中，相鄰的所述編程狀態的一讀取區間為400mV-500mV。

18.如權利要求1所述的方法，其中，在該步驟a)之前，該方法更包括判斷是否該存儲器的所有位皆具有閾值電壓值Vt不低于該預定編程狀態的該編程驗證值PV，若是，則結束本方法，若不是，則繼續該步驟a)。