[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710138244.6 | 申請(qǐng)日： | 2007-07-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101123252A | 公開（公告）日： | 2008-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 平瀨順?biāo)?/a>;佐藤好弘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/088 | 分類號(hào)： | H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括第一金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管和第二金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管，其特征在于：
上述第一金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管包括第一柵極絕緣膜和第一柵極電極，該第一柵極絕緣膜形成在基板的第一活性區(qū)域上，該第一柵極電極形成在上述第一柵極絕緣膜上；
上述第二金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管包括第二柵極絕緣膜和第二柵極電極，該第二柵極絕緣膜形成在上述基板的第二活性區(qū)域上，介電常數(shù)低于上述第一柵極絕緣膜，該第二柵極電極形成在上述第二柵極絕緣膜上；
在上述第一柵極電極及上述第二柵極電極各自的側(cè)面上形成有同一結(jié)構(gòu)的絕緣性側(cè)壁隔離物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一柵極絕緣膜的厚度與上述第二柵極絕緣膜的厚度相等或者小于上述第二柵極絕緣膜的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管和上述第二金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的導(dǎo)電型相同；
上述第一金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的動(dòng)作電壓低于上述第二金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的動(dòng)作電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一柵極絕緣膜的厚度大于上述第二柵極絕緣膜的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管為N型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管；
上述第二金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管為P型金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管和上述第二金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的導(dǎo)電型相同；
上述第一金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的動(dòng)作電壓與上述第二金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的動(dòng)作電壓相同；
上述第一金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的閾值電壓高于上述第二金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管的閾值電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一柵極絕緣膜包含高介電常數(shù)絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
在上述高介電常數(shù)絕緣膜上形成有氮化硅膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述高介電常數(shù)絕緣膜的上部被氮化。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
在上述高介電常數(shù)絕緣膜下形成有緩沖絕緣膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第二柵極絕緣膜為二氧化硅膜或者氮氧化硅膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1到11中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一柵極電極為全硅化物電極；
上述第二柵極電極為全硅化物電極或者包含多晶硅電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求1到11中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一柵極電極及上述第二柵極電極分別為金屬柵極電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到11中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一柵極電極為金屬柵極電極；
上述第二柵極電極包含與上述第二柵極絕緣膜接觸的多晶硅電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求1到11中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
上述第一柵極電極包含與上述第一柵極絕緣膜接觸的金屬柵極電極；
上述第二柵極電極包含與上述第二柵極絕緣膜接觸的多晶硅電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
該半導(dǎo)體裝置還包括第三金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管；
上述第三金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管包括第三柵極絕緣膜和第三柵極電極，該第三柵極絕緣膜形成在上述基板的第三活性區(qū)域上，由與上述第一柵極絕緣膜相同的絕緣膜構(gòu)成，該第三柵極電極形成在上述第三柵極絕緣膜上；
上述第三柵極電極包含與上述第三柵極絕緣膜接觸的其它金屬柵極電極；
在上述第三柵極電極的側(cè)面上也形成有上述同一結(jié)構(gòu)的絕緣性側(cè)壁隔離物。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
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