[發明專利]元件隔離膜的形成方法以及非易失性半導體存儲器無效
| 申請號： | 200710136808.2 | 申請日： | 2007-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN101136355A | 公開（公告）日： | 2008-03-05 |
| 發明（設計）人： | 瀨戶勝 | 申請（專利權）人： | 沖電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/316;H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 元件 隔離 形成 方法 以及 非易失性 半導體 存儲器 | ||
1.一種元件隔離膜的形成方法，在形成于半導體襯底上的元件隔離區域的溝槽中填充氧化物以形成元件隔離用的絕緣膜，其特征在于，
順序進行如下工序：
第1工序，在不施加偏壓的情況下向所述溝槽的內部表面上淀積含有氧和硅的等離子體狀態的原料；和
第2工序，在施加偏壓的情況下向所述溝槽的內部填充含有氧和硅的等離子體狀態的原料。
2.一種元件隔離膜的形成方法，在形成于半導體襯底的元件隔離區域的溝槽中填充氧化物以形成元件隔離用的絕緣膜，其特征在于，
順序進行如下工序：
第1工序，在施加相對低的偏壓的情況下向所述溝槽的內部表面上淀積含有氧和硅的等離子體狀態的原料；和
第2工序，在施加相對高的偏壓的情況下向所述溝槽的內部填充含有氧和硅的等離子體狀態的原料。
3.根據權利要求1或2所述的元件隔離膜的形成方法，其特征在于，所述第1以及第2工序是在相同裝置中連續進行的。
4.根據權利要求1、2、3中任一項所述的元件隔離膜的形成方法，其特征在于，接著上述第2工序，為了消除所述元件隔離膜的端部的凹凸不平，進行鳥嘴氧化。
5.一種非易失性半導體存儲器，其具有：向形成在半導體襯底的元件隔離區域上的溝槽填充氧化物而形成的元件隔離用的絕緣膜；和在由所述絕緣膜隔離的單元部上形成的、具有浮柵的非易失性的存儲單元，其特征在于，
所述絕緣膜是以權利要求1至4的任一項所述的元件隔離膜的形方法形成的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
