[發明專利]用于絕緣體上的硅槽刻蝕方法

有效

• 申請號: 200710134359.8
• 申請日: 2007-10-31
• 公開（公告）號: CN101202251A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 徐靜;肖志強;高向東;李俊
• 申請（專利權）人: 無錫中微晶園電子有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/762;H01L21/311;H01L21/306;H01L21/3065
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所
• 代理人: 曹祖良

1.用于絕緣體上的硅槽刻蝕方法，包括位于襯底硅(1)上的埋氧層(2)，在埋氧層(2)上有頂層硅(3)，其特征是：

步驟一、先在頂層硅(3)上進行熱氧化，形成SiO₂層(4)，再在SiO₂層(4)淀積SiN，形成SiN層(5)；

步驟二、在SiN層(5)上涂光刻膠(6)，并留出一個沒有涂光刻膠(6)的區域，對該區域進行光刻，形成硅槽刻蝕窗口；

步驟三、再對硅槽刻蝕窗口進行等離子體反應刻蝕，腐蝕掉SiN層(5)與SiO₂層(4)，露出頂層硅(3)，所述等離子體氣體的主要成分為90sccm的SF₆、50sccm的He；

步驟四、用混合酸對露出的頂層硅(3)進行各向同性的硅槽腐蝕，腐蝕深度0.3～0.6μm；所述混合酸包括5.59份的HNO₃、0.134份的HF、2.27份的H₂O；單位為體積份；

步驟五、對上述經混合酸腐蝕過的頂層硅(3)繼續進行等離子體反應刻蝕，形成硅槽，刻蝕深度0.3～0.6μm，等離子體的主要氣體成分包括70sccm的Cl₂、150sccm的He；

步驟六、對硅槽進行LOCOS氧化，形成的氧化層(7)和埋氧層(2)相連形成SOI硅槽的全介質隔離。