[發(fā)明專利]離子超聲清洗的方法及其裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710134272.0
• 申請日: 2007-10-08
• 公開（公告）號: CN101147910A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳志良;葉鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 葉鵬;吳志良
• 主分類號: B08B7/04
• 分類號: B08B7/04;B08B3/12;B08B6/00;H01J37/00;H05H11/00
• 代理公司: 無錫華源專利事務(wù)所
• 代理人: 聶漢欽

1.離子超聲清洗的方法，包括超聲波清洗槽，其特征在于將清洗物件置入注入水的超聲波清洗槽，開啟超聲波發(fā)生器，與此同時，向上述清洗物件通入電離子流，通過電離子流以及超聲波的共同作用，將清洗物件洗凈。

2.按照權(quán)利要求1所述的離子超聲清洗的方法，其特征在于所述離子束的密度為1.0×10⁶個/cm³～10.0×10⁶個/cm³。

3.離子超聲清洗的裝置，其特征在于包括離子束發(fā)生裝置以及超聲波清洗槽，離子束發(fā)生裝置的輸出口通過管道接入超聲波清洗槽。

4.按照權(quán)利要求3所述的離子超聲清洗的裝置，其特征在于所述超聲波清洗槽包括一蓄水槽，蓄水槽中裝置密封的C形振動盒，C形振動盒內(nèi)于槽口的壁面上安裝超聲波輸出振子，離子束發(fā)生裝置的輸出口通過管道接入所述C形振動盒的槽口內(nèi)。

5.按照權(quán)利要求3所述的離子超聲清洗的裝置，其特征在于所述離子束發(fā)生裝置包括腔體，腔體上帶有空氣入口及離子束出口，其特征在于所述腔體由順序連接的主腔體、上腔體及副腔體構(gòu)成，空氣入口位于主腔體上，所述離子束出口有二個，一級離子束出口位于主腔體的尾部，二級離子束出口位于所述副腔體的出口端，所述主腔體內(nèi)順序裝置平面渦流器及第一離子束發(fā)生器，所述上腔體內(nèi)裝置螺旋渦流器，所述副腔體內(nèi)裝置第二離子束發(fā)生器。

6.按照權(quán)利要求5所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述第一離子束發(fā)生器及第二離子束發(fā)生器分別包括順序安裝的氣流導(dǎo)向控制器、電子加速器、反射導(dǎo)向器及高頻高壓換能器；所述電子加速器的中部分別有一管道，所述管道分別與所述氣流導(dǎo)向控制器及反射導(dǎo)向器密封連接，構(gòu)成氣流通道。

7.按照權(quán)利要求6所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述電子加速器由其中部管道外圍的電磁線圈構(gòu)成，在所述反射導(dǎo)向器與電子加速器之間設(shè)置聚焦線圈。

8.按照權(quán)利要求7所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述電子加速器的電磁線圈外圍設(shè)置有屏蔽網(wǎng)。

9.按照權(quán)利要求6或7所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述高頻高壓換能器由正電極板與負(fù)電極板相間安裝構(gòu)成，每兩塊電極板之間設(shè)置間隙，所述正電極板與負(fù)電極板分別電連接。

10.按照權(quán)利要求5所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述主腔體與上腔體之間設(shè)置活塞閥，上腔體頂部裝置電磁閥，上腔體內(nèi)裝置過濾分子篩。