[發明專利]多孔硅酸鋅及其制備方法

無效

• 申請號: 200710134106.0
• 申請日: 2007-10-01
• 公開（公告）號: CN101402459A
• 公開（公告）日: 2009-04-08
• 發明（設計）人: 楊亞軍;孟國文;魏青;朱曉光;孔明光;張立德
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C01B33/20
• 分類號: C01B33/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一種多孔硅酸鋅，包括硅酸鋅，其特征在于所說硅酸鋅呈多孔狀，所說多孔狀孔的孔徑為0.8～1.2μm，所說多孔狀硅酸鋅的孔隙率為65～80％、比表面積為200～600m²/g。

2.?根據權利要求1所述的多孔硅酸鋅，其特征是多孔狀硅酸鋅的孔為通孔。

3.?根據權利要求2所述的多孔硅酸鋅，其特征是多孔狀硅酸鋅為薄膜形態，所說薄膜的厚度為40～60μm。

4.?根據權利要求1所述的多孔硅酸鋅的制備方法，包括陽極氧化法和原位轉化法，其特征在于是按以下步驟完成的：

(a)使用陽極氧化法對硅基底進行電化學腐蝕，獲得通孔孔徑為1～2μm的多孔硅基底，其中，陽極氧化的電解液為0.5～1.5∶0.5～1.5的氫氟酸∶乙醇、電流密度為1～3mA/cm²、時間為160～200min，陽極氧化結束時，將陽極氧化電流瞬時增大到300～500mA/cm²，并保持0.5～1.5min；

(b)將多孔硅基底和鋅粉置于流動的氬氣和氧氣的混合氣氛中，其中，多孔硅基底位于鋅粉的下游，在1000～1200℃下反應2.5～3.5h，制得多孔硅酸鋅。

5.?根據權利要求4所述的多孔硅酸鋅的制備方法，其特征是硅基底為p型單晶硅，其晶向為<100>、電阻率為8～15Ω/cm。

6.?根據權利要求4所述的多孔硅酸鋅的制備方法，其特征是鋅粉的純度為≥99％，細度為150～250目。

7.?根據權利要求4所述的多孔硅酸鋅的制備方法，其特征是多孔硅基底與鋅粉的間距為3～5cm。

8.?根據權利要求4所述的多孔硅酸鋅的制備方法，其特征是流動的混合氣氛為5～15sccm的氬氣和1～3sccm的氧氣。

9.?根據權利要求4所述的多孔硅酸鋅的制備方法，其特征是在將多孔硅基底置于混合氣氛中加熱反應前，先將其置于空氣中250～350℃下預氧化2～4h。

10.?根據權利要求4所述的多孔硅酸鋅的制備方法，其特征是升溫至1000～1200℃的升溫時間≤15min，反應結束后，于流動的混合氣氛下自然降溫至室溫。