[發(fā)明專利]一種非晶硅納米顆粒的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710133857.0 | 申請日： | 2007-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN101172607A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳曉原;劉治國;劉俊明 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | C01B33/021 | 分類號： | C01B33/021;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利事務所 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210093江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 非晶硅 納米 顆粒 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種非晶硅納米顆粒的制備方法，其特征是該方法包括以下步驟：
(1)制備溶液：選用去離子水為溶液用以制備不含表面活性劑包覆的硅顆粒；或配置濃度范圍在1.0-5.0mmol/L的十六烷基三甲基溴化銨溶液用以制備表面活性劑包覆的硅量子點；
(2)激光燒蝕液體環(huán)境中的硅靶：將硅靶置于盛有步驟(1)所制備的溶液的燒杯中，然后用準分子激光束輻照硅靶；
(3)取出硅靶，溶液中即含有所制備的非晶態(tài)硅量子點。
2.根據權利要求1所述的非晶硅納米顆粒的制備方法，其特征是在步驟(2)中所述的準分子激光，為ArF，KrF或XeCl激光。
3.根據權利要求1所述的非晶硅納米顆粒的制備方法，其特征是在步驟(2)中，在輻照期間，燒杯放置在一個可水平移動的電動平臺上，以使激光束在靶上進行掃描。
4.根據權利要求1所述的非晶硅納米顆粒的制備方法，其特征是在步驟(2)中，硅靶要完全浸入到溶液中，深度不超過5毫米。
5.根據權利要求1所述的非晶硅納米顆粒的制備方法，其特征是在步驟(2)中，激光束通過透鏡進行聚焦，焦點大小在4-10mm2，激光的能量密度在1×108-2×108W/cm2之間。
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