[發明專利]存儲器驅動電路

無效

• 申請號: 200710129241.6
• 申請日: 2007-03-12
• 公開（公告）號: CN101079319A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 周原提;李相均
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C13/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;張波

技術領域

本發明涉及一種存儲器驅動電路及其制造方法，該存儲器驅動電路用于驅動根據電阻變化能具有兩個或更多狀態的電阻型存儲器。本發明還涉及一種存儲器驅動電路及其制造方法，該存儲器驅動電路可包括連接到存儲器以控制存儲器的置位電阻(set?resistance)的次驅動器(secondary?driver)，該存儲器具有布置在第一電極和第二電極之間的存儲層。

背景技術

根據數據壓縮和傳輸技術的近期發展，新的電子設備(例如便攜式終端、各種智能卡、電子貨幣、數碼相機、游戲存儲器、MP3播放器和/或多媒體播放器)的發展增多。可以配置這樣的新電子設備以使用增加的信息量。對能夠存儲增加的數據量的各種存儲器的需求也已經增大了。便攜式信息設備的更多使用已經增大了對具有非易失特性的存儲器的需求，該存儲器即使在斷電狀態也能防止或減少記錄信息的擦除。大多數存儲器會包括雙穩態元件，其根據接收的電壓可在較高電阻態和較低電阻態之間轉換。具有與電容型存儲器相對的概念的電阻型存儲器可包括根據施加到其上的電壓改變電阻的存儲器，且可與電阻變化相對應地存儲數據。

硫族化物(chalcogenide)材料、半導體、以及各種氧化物和氮化物可具有電阻存儲屬性。有機材料可具有電阻存儲屬性。電阻型存儲器可能具有增大的驅動電壓和電流、降低的耐用性和降低的薄膜處理性能的缺點。因為隨著材料工程的近期發展已經克服了這樣的缺點，所以電阻型存儲器當前可以是非易失性、低功耗、高密度和多位操作的存儲器。這樣的電阻型存儲器的例子可包括相變RAM、有機存儲器、氧化物電阻型RAM(OxRAM)和/或金屬絲(filament)存儲器。

例如，將結合有機存儲器描述電阻型存儲器。有機存儲器可包括在上電極和下電極之間的有機存儲層。可在上和下電極互相交叉的位置形成提供雙穩特性的存儲單元。

電阻型存儲器的存儲單元可具有兩種狀態，即對應于低電阻態的置位(set)態和對應于高電阻態的復位(reset)態。當假定數據“1”對應于低電阻態，且數據“0”對應于高電阻態時，可以存儲兩種邏輯狀態的數據。

在這樣的存儲器中，可以如下執行數據的讀出。可以從存儲矩陣選擇一位線(bit?line)和一字線(word?line)，以選擇特定存儲單元。之后，可以從存儲器外界提供電流給該特定存儲單元。電壓變化會根據存儲單元中有機存儲層的電阻狀態而發生在該存儲單元中。根據該電壓變化，數據“0”或“1”可被讀出。

然而，在大多數存儲器中，因為置位態的電阻會較小，所以電壓變化的準確讀出會是困難的，除非使用單獨的放大器。這樣的存儲器配置會變得復雜。置位態電阻會不均勻。在讀取存儲單元的存儲器操作期間會產生錯誤。

發明內容

示例性實施例提供一種存儲器驅動電路及其制造方法，該存儲器驅動電路能自由地控制該驅動電路驅動的存儲器在置位狀態的電阻。示例性實施例提供一種存儲器驅動電路及其制造方法，該存儲器驅動電路可防止或減小該驅動電路驅動的存儲器的錯誤操作，由此實現操作可靠性的改善。

示例性實施例提供一種存儲器驅動電路，用于驅動包括第一電極、第二電極、以及第一電極和第二電極之間的存儲層的存儲器，該存儲器驅動電路可包括連接到存儲器以驅動存儲器的主驅動器；以及連接在存儲器和主驅動器之間以控制存儲器的置位電阻的次驅動器。主驅動器可包括I/O控制、列和行地址解碼器、以及WL(字線)驅動器。

次驅動器可外部連接到存儲器，或可內部地形成在存儲器中。

次驅動器外部連接到存儲器時，次驅動器可包括連接到存儲器一端的第一二極管、并聯連接到第一二極管的第二二極管、以及串聯連接到第一二極管且并聯連接到第二二極管的電阻器。第一和第二二極管連接得被相反偏置。

電阻器可具有連接到主驅動器的第一端子、連接到第一二極管的第二端子。第一和第二二極管的每個可以是P-N二極管和/或肖特基二極管。

次驅動器內部地形成在存儲器中時，次驅動器可以是在存儲器中的第一電極和存儲層之間的肖特基結。該肖特基結可包括接觸第二電極的金屬材料的半導體層。該肖特基結形成在金屬-半導體結處且它具有整流特性，適于用作二極管。該整流特性取決于金屬的功函數和半導體的帶隙。

根據示例性實施例，制造用于驅動包括第一電極、第二電極、以及第一電極和第二電極之間的存儲層的存儲器的存儲器驅動電路的方法可包括連接主驅動器到所述存儲器以驅動該存儲器，以及連接次驅動器在存儲器和主驅動器之間以控制存儲器的置位電阻。

附圖說明