[發明專利]存儲器驅動電路無效
| 申請號: | 200710129241.6 | 申請日: | 2007-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN101079319A | 公開(公告)日: | 2007-11-28 |
| 發明(設計)人: | 周原提;李相均 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C11/56 | 分類號: | G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波;張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 驅動 電路 | ||
1、用于驅動包括第一電極、第二電極、以及該第一電極和第二電極之間的存儲層的存儲器的存儲器驅動電路,包括:
主驅動器,連接到該存儲器,以驅動該存儲器;以及
次驅動器,連接在該存儲器和該主驅動器之間,以控制該存儲器的置位電阻。
2、根據權利要求1的存儲器驅動電路,其中該次驅動器外部連接到該存儲器。
3、根據權利要求2的存儲器驅動電路,其中該次驅動器包括:
連接到該存儲器一端的第一二極管;
并聯連接到該第一二極管的第二二極管;以及
串聯連接到該第一二極管且并聯連接到該第二二極管的電阻器,
其中該第一和第二二極管連接得被相反地偏置。
4、根據權利要求3的存儲器驅動電路,其中該第一和第二二極管的每個是P-N二極管或肖特基二極管。
5、根據權利要求1的存儲器驅動電路,其中該次驅動器是該存儲器中的該第一電極和該存儲層之間的肖特基結。
6、根據權利要求5的存儲器驅動電路,其中該肖特基結是接觸該第二電極的金屬材料的半導體。
7、根據權利要求1的存儲器驅動電路,其中該存儲器的存儲層由呈現約10-12S/cm或更小的電導率的具有雜原子的有機材料制成。
8、根據權利要求7的存儲器驅動電路,其中該有機材料是從包括聚(2-乙烯吡啶)、聚(4-乙烯吡啶)、聚乙烯基砒絡烷酮、聚丙烯胺、聚乙烯胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺胺、以及聚酰亞胺的組中選擇的聚合物。
9、根據權利要求1的存儲器驅動電路,其中該第一和第二電極之一由從金、銀、鉑、銅、鈷、鎳、錫、鋁、銦錫氧化物、以及鈦中選擇的材料制成。
10、一種制造用于驅動包括第一電極、第二電極、以及該第一電極和該第二電極之間的存儲層的存儲器的存儲器驅動電路的方法,包括:
連接主驅動器到該存儲器,以驅動該存儲器;以及
連接次驅動器在該存儲器和該主驅動器之間,以控制該存儲器的置位電阻。
11、根據權利要求10的方法,其中該次驅動器外部連接到該存儲器。
12、根據權利要求11的方法,其中該次驅動器包括:
連接到該存儲器一端的第一二極管;
并聯連接到該第一二極管的第二二極管;以及
串聯連接到該第一二極管且并聯連接到該第二二極管的電阻器,
其中該第一和第二二極管連接得被相反偏置。
13、根據權利要求12的方法,其中該第一和第二二極管的每個是P-N二極管或肖特基二極管。
14、根據權利要求10的方法,其中該次驅動器是該存儲器中的該第一電極和該存儲層之間的肖特基結。
15、根據權利要求14的方法,其中該肖特基結是接觸該第二電極的金屬材料的半導體。
16、根據權利要求10的方法,其中該存儲器的該存儲層由呈現約10-12S/cm或更小的電導率的具有雜原子的有機材料制成。
17、根據權利要求16的方法,其中該有機材料是從包括聚(2-乙烯吡啶)、聚(4-乙烯吡啶)、聚乙烯基砒絡烷酮、聚丙烯胺、聚乙烯胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺胺、以及聚酰亞胺的組中選擇的聚合物。
18、根據權利要求10的方法,其中該第一和第二電極之一由從金、銀、鉑、銅、鈷、鎳、錫、鋁、銦錫氧化物、以及鈦中選擇的材料制成。
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