[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換器件和具有光電轉(zhuǎn)換器件的攝像系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710128400.0
• 申請日: 2007-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN101106149A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 浦賢一郎;福元嘉彥;片岡有三
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/225;H04N5/335
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 秦晨

技術(shù)領(lǐng)域

[0001]本發(fā)明涉及一種光電轉(zhuǎn)換器件以及一種制造光電轉(zhuǎn)換器件和具有該光電轉(zhuǎn)換器件的攝像系統(tǒng)的方法。

背景技術(shù)

[0002]在圖像輸入設(shè)備例如數(shù)字照相機(jī)、攝影機(jī)和圖像閱讀器以及用于其中的焦點(diǎn)檢測設(shè)備中，使用包括光電轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)像素排列于其中的光電轉(zhuǎn)換器件。這里光電轉(zhuǎn)換器件包括例如所謂CCD型、雙極晶體管型、電場效應(yīng)晶體管型以及MOS型的光電轉(zhuǎn)換器件。這里光電轉(zhuǎn)換器件易于增加像素。隨著像素面積減小，光電轉(zhuǎn)換元件的面積趨向于減小。因此，處理更小電荷的必要性已經(jīng)出現(xiàn)并且減小噪聲的必要性已經(jīng)出現(xiàn)。

[0003]日本專利申請公開2003-258229和2005-142503包括關(guān)于MOS型光電轉(zhuǎn)換器件中的噪聲的公開內(nèi)容。日本專利申請公開2003-258229包括關(guān)于因MOS型光電轉(zhuǎn)換器件的通道停止區(qū)中少數(shù)載流子的增加而產(chǎn)生的噪聲的公開內(nèi)容。

[0004]另外，日本專利申請公開2005-142503包括關(guān)于因通道停止區(qū)中少數(shù)載流子的增加而在相鄰FD區(qū)之間產(chǎn)生的電場引起的漏電流的公開內(nèi)容。這里，日本專利申請公開2005-142503使用通道停止區(qū)和浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)(在下文稱作FD區(qū))的排列設(shè)計(jì)噪聲的減小。

[0005]另外，日本專利申請公開2001-230409包括關(guān)于用于保持一般半導(dǎo)體器件的隔離區(qū)中耐壓的MOS晶體管結(jié)構(gòu)的公開內(nèi)容。

[0006]但是，因像素的進(jìn)一步增加而引起的像素面積的減小伴隨有元件排列的更低自由度。而且，隔離區(qū)中的細(xì)度偶爾也在除了通道停止區(qū)與FD區(qū)之間的區(qū)域之外的地點(diǎn)引起漏電流。另外，這里漏電流流到光電轉(zhuǎn)換元件和FD區(qū)中以引起信號(hào)噪聲比的退化。

[0007]因此，考慮到上述問題，本發(fā)明的目的在于獲得一種減小在隔離區(qū)中產(chǎn)生的漏電流且信號(hào)噪聲比提高的光電轉(zhuǎn)換器件和攝像系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容

[0008]本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換器件是包括下列的光電轉(zhuǎn)換器件：第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)；與第一半導(dǎo)體區(qū)的一部分一起形成光電轉(zhuǎn)換元件的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)；將在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)移到第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)的柵電極；將第二半導(dǎo)體區(qū)與同第二半導(dǎo)體區(qū)相鄰的第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)電隔離的隔離區(qū)；以及布置在隔離區(qū)上用于將電壓施加到柵電極的布線；其中，雜質(zhì)濃度低于第四半導(dǎo)體區(qū)的第二導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)位于第四半導(dǎo)體區(qū)和隔離區(qū)之間。

[0009]本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將從下面結(jié)合附隨附圖進(jìn)行的描述中顯然，其中類似的參考字符遍及所有附圖指定相同或相似的部分。

[0010]包含于說明書中并構(gòu)成說明書一部分的附隨附圖說明本發(fā)明的實(shí)施方案，并且與描述一起，用來說明本發(fā)明的原理。

[0011]本發(fā)明的更多特征將參考附加附圖從下面實(shí)例實(shí)施方案的描述中變得明白。

附圖說明

[0012]圖1是第一實(shí)施方案中的光電轉(zhuǎn)換器件的示意剖面。

[0013]圖2A是第二實(shí)施方案中的光電轉(zhuǎn)換器件的示意剖面。

[0014]圖2B是第二實(shí)施方案中的光電轉(zhuǎn)換器件的示意剖面。

[0015]圖2C是第二實(shí)施方案中的光電轉(zhuǎn)換器件的示意剖面。

[0016]圖2D是第二實(shí)施方案中的光電轉(zhuǎn)換器件的示意剖面。

[0017]圖3是光電轉(zhuǎn)換器件的像素的一部分的示意平面圖。

[0018]圖4A舉例說明光電轉(zhuǎn)換器件的像素電路。

[0019]圖4B舉例說明圖4A中說明的光電轉(zhuǎn)換器件的驅(qū)動(dòng)脈沖。

[0020]圖5說明攝像系統(tǒng)的實(shí)例。

具體實(shí)施方式

[0021]本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換器件以半導(dǎo)體區(qū)(晶體管的源極或漏極區(qū))與光電轉(zhuǎn)換元件相鄰且隔離區(qū)位于其間的結(jié)構(gòu)為特征。連接到傳輸晶體管的柵電極的布線布置在該隔離區(qū)上。這種結(jié)構(gòu)以這里半導(dǎo)體區(qū)的隔離區(qū)一側(cè)上具有低濃度的半導(dǎo)體區(qū)為特征。

[0022]本發(fā)明的構(gòu)造可以減輕在隔離區(qū)的較低部中第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)與同光電轉(zhuǎn)換元件相鄰的第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)之間存在的電場，因此可以減小漏電流。因此，可以提供噪聲減小且信號(hào)噪聲比提高的光電轉(zhuǎn)換器件。